[发明专利]新型光纤

权利要求书

1.一种新型光纤，其特征在于：由内到外依次包括同轴设置的单模纤芯、多模层及外包层，所述单模纤芯位于光纤中心，且具有上阶跃折射率，所述多模层包围于所述单模纤芯外，且具有α轮廓分布的折射率；所述多模层内侧和/或所述多模层外侧设有若干过渡层，所述过渡层与所述单模纤芯或所述外包层同轴设置，且所述过渡层紧贴所述多模层，其折射率与所述多模层接触部分的折射率相等。

2.根据权利要求1所述的新型光纤，其特征在于：当所述过渡层介于所述单模纤芯和所述多模层之间为第一过渡层，与纯二氧化硅相比，所述第一过渡层的相对折射率δ₀为0.5％至2.0％之间，所述第一过渡层的单侧宽度W₀为1μm至4μm之间；当所述过渡层介于所述多模层和所述外包层之间为第二过渡层，与纯二氧化硅相比，所述第二过渡层的相对折射率δ₅为-0.4％至0.15％之间，所述第二过渡层的单侧宽度W₅为1μm至7μm之间。

3.根据权利要求2所述的新型光纤，其特征在于：所述单模纤芯为掺锗的二氧化硅玻璃，其半径r₁为3μm至5μm之间，相对折射率δ₁高于所述第一过渡层的相对折射率δ₀，δ₁-δ₀＝0.25％～0.4％。

4.根据权利要求2所述的新型光纤，其特征在于：所述多模层的相对折射率δ₂介于所述第一过渡层的相对折射率δ₀和所述第二过渡层的相对折射率δ₅之间，呈α轮廓分布，所述多模层的半径r₂为15μm至35μm之间，α为1.8至2.5之间。

5.根据权利要求2所述的新型光纤，其特征在于：所述新型光纤的半径r₃为62μm至63μm之间。

6.根据权利要求3-5中任一项所述的新型光纤，其特征在于：所述单模纤芯与所述多模层之间包括下阶跃折射率的下掺层，所述下掺层的相对折射率δ₄低于所述第一过渡层的相对折射率δ₀，所述下掺层的单侧宽度W₄为0.5μm至5μm之间，且δ₄-δ₀＝-0.05％～-0.35％。

7.根据权利要求6所述的新型光纤，其特征在于：所述下掺层包括同轴设置的多层结构，其中具有较低阶跃折射率的为主下掺层，其他为辅下掺层。

8.根据权利要求6所述的新型光纤，其特征在于：所述下掺层包括主下掺层和一辅下掺层，其中

所述主下掺层的单层宽度为W₀₄为1μm至4μm之间，且δ₀₄-δ₀＝-0.1％～-0.35％；

所述辅下掺层的单层宽度为W₁₄为0.5μm至4μm之间，且δ₁₄-δ₀＝-0.05％～-0.2％。

9.根据权利要求3-5中任一项所述的新型光纤，其特征在于：所述多模层与所述外包层之间包括下阶跃折射率的凹陷层，所述凹陷层的相对折射率δ₆低于所述第二过渡层的相对折射率δ₅，所述凹陷层的单侧宽度W₆为2μm至45μm之间，相对折射率δ₆为-0.05％至-0.4％之间，所述外包层为纯二氧化硅玻璃。

10.根据权利要求9所述的新型光纤，其特征在于：所述凹陷层包括同轴设置的多层结构，其中具有较低阶跃折射率的为主凹陷层，其他为辅凹陷层。

11.根据权利要求9所述的新型光纤，其特征在于：所述凹陷层包括主凹陷层和一辅凹陷层，其中

所述主凹陷层的单层宽度为W₀₆为2μm至6μm之间，且相对折射率δ₀₆为-0.2％至-0.4％之间；

所述辅凹陷层的单层宽度为W₁₆为2μm至45μm之间，且相对折射率δ₁₆为-0.05％至-0.2％之间。