[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的发光层，所述发光层包括层叠设置的n层量子点发光层，相邻的所述两层量子点发光层之间设置有n‑1层电子阻挡材料层，其中，n为大于等于2的整数。本发明量子点发光二极管通过所述发光层的设置能够有效平衡电子和空穴的注入速率，从而提高载流子在量子点发光层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命。

技术领域

本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二级管(QLED)为典型的三明治结构，由电极，功能层，发光层等构成。在外加电压的激发下，载流子通过两端电极由各功能层进入到量子点进行复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。由于胶体量子点自身具有发光效率高、色纯度高、色域广、稳定性好等特性，QLED不仅承袭了量子点的这些优异的性能，而且QLED还具有自发光、可视角广、可弯曲等特点，表现出极大的商业应用前景，成为新一代新型与照明显示领域的重要研究方向。同时，由于量子点本身是采用溶液法加工制备，非常适合配置成油墨，然后采用印刷、喷墨等方式实现大规模、大面积化制备。目前，经过二十多年的研究与发展，QLED器件得到了迅速发展，并取得了显著的成果。特别是近年来由对功能层的调控转至对量子点自身的调控，对量子点进行合金化和厚壳层的生长极大的推动了QLED器件性能的提升。

现阶段，对于QLED器件而言，如何同步提升器件效率、寿命和稳定性，仍然是一个极具挑战性的难题。通常，半导体量子点普遍具有很深的HOMO能级，电荷在各功能层传输时存在较大的势垒，导致器件在工作时电子和空穴注入不平衡。一方面，高的载流子注入势垒会增加器件的工作电压；另一方面，不平衡的电荷注入会使得载流子在发光层内的复合几率大大降低，容易引发激子的非辐射跃迁，从而影响了器件的发光效率和寿命。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有QLED器件中载流子注入不平衡导致载流子在发光层内的复合几率降低，影响了器件的发光效率和寿命的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的发光层，其中，所述发光层包括层叠设置的n层量子点发光层，相邻的所述两层量子点发光层之间设置有电子阻挡材料层，电子阻挡材料层的层数为n-1，其中，n为大于等于2的整数。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板制备发光层，所述发光层包括层叠设置的n层量子点发光层，相邻的所述两层量子点发光层之间设置有电子阻挡材料层，所述电子阻挡材料层的层数为n-1，其中，n为大于等于2的整数。

有益效果：本发明提供的量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的发光层，所述发光层包括层叠设置的n层量子点发光层，相邻的所述两层量子点发光层之间设置电子阻挡材料层，其中，n为大于等于2的整数。本发明量子点发光二极管通过所述发光层的设置能够有效平衡电子和空穴的注入速率，从而提高载流子在量子点发光层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命。

附图说明

图1为本发明一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。

图2为本发明量子点发光二极管的能带结构示意图。

图3为本发明一种量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。

具体实施方式