[发明专利]用于NVDIMM的数据备份和恢复方法、NVDIMM控制器以及NVDIMM在审

专利信息
申请号: 201811643227.2 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109582508A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 周小锋;江喜平 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G06F11/14 分类号: G06F11/14
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 陈璐;郑建晖
地址: 710003 陕西省西安市高新区软件*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 控制器 数据备份模块 数据备份 读取 发送 数据恢复模块 控制器控制 备份 使能 写入 恢复
【说明书】:

本发明提供用于NVDIMM的数据备份和恢复方法、NVDIMM控制器以及NVDIMM。NVDIMM(200)包括DRAM(201)、NAND闪存(202)和NVDIMM控制器(100),NVDIMM控制器控制NVDIMM并包括DDR控制器(101)、NAND闪存控制器(102)、数据备份模块(103)和数据恢复模块(104),DDR控制器采用并使能DBI。其中备份方法包括:DDR控制器从DRAM读取N位DQ和1位DBI并将其发送至数据备份模块;数据备份模块根据N位DQ和1位DBI的值将其编码成N位EDQ并将N位EDQ发送至NAND闪存控制器;NAND闪存控制器接收N位EDQ并将其写入NAND闪存。

技术领域

本发明涉及非易失性内存领域,更具体地涉及一种低功耗的用于NVDIMM的数据备份方法、数据恢复方法、NVDIMM控制器以及NVDIMM。

背景技术

NVDIMM是一种非易失性内存,包括DRAM、NAND闪存(NAND Flash)和NVDIMM控制器。在主板/CPU异常或掉电时,通过中断或消息通知NVDIMM控制器,NVDIMM控制器会将DRAM中的数据备份到NAND闪存。之后在主板/CPU重新上电时,主板/CPU会通知NVDIMM控制器将备份在NAND闪存中的数据恢复到DRAM,并给超级电容充电。NVDIMM在数据备份时由超级电容供电,但超级电容供电能力有限,且随服役时间和工作温度升高有较大衰减。对于NVDIMM而言,数据备份的功耗和数据备份/恢复的时间是两个重要的产品性能指标,决定了超级电容的容量、可靠性和产品的成本。数据备份功耗增加势必需要提升超级电容容量,而超级电容容量增加会带来成本增加和可靠性降低;数据备份/恢复时间决定了数据备份过程中的功耗及用户体验。因此,低功耗的NVDIMM数据快速备份和恢复方法可明显提高产品的竞争力。

为了降低接口功耗,在DDR4中引入了数据总线反相(Data Bus Inversion;DBI)机制。对于JEDEC规范(JESD245A/B)的NVDIMM控制器,在数据备份和恢复时都需要操作DDRx和NAND闪存接口。DDR4使用1.2V接口电压和POD(Pseudo Open Drain)技术,结合DBI可降低25-40%接口的功耗。虽然现有NVDIMM产品在DDR(DDR4)侧采用DBI机制可明显降低DRAM操作功耗,但是在备份数据时需要将待备份的数据和DBI指示一起写入NAND闪存,以便在恢复数据给出DBI指示信号使DRAM得到正确的数据。备份DBI会给NVDIMM备份数据带来额外的存储开销,同时提高了备份的功耗。以16GB NVDIMM DDR4 x8为例,备份DBI需要增加2GB的存储空间,这将使得备份和恢复时间加长1/8,也将增加约1/8的备份功耗。

中国专利公开CN108255428A公开了一种数据处理方法、装置及电子设备。该数据处理方法包括:接收数据传输请求,数据传输请求指示将NVDIMM存储的数据传输至块设备,数据传输请求携带有数据块的标识;根据数据传输请求确定目标数据在NVDIMM中的存储位置信息,其中,目标数据为与数据传输请求对应的待传输数据;以字节访问的方式将NVDIMM中由存储位置信息所指示的目标数据直接传输至块设备。但是该方法在主板/CPU使用NVDIMM层面来降低数据传输时间,需要保存在NVDIMM中的数据具有一定的特点,并没有从NVDIMM的设计角度出发,因此,不具有通用意义的低功耗NVDIMM快速数据备份和恢复特性。

发明内容

对于使用了DBI机制的NVDIMM控制器,DDR接口的功耗可明显降低,但存储DBI信息增加了存储空间和数据备份时NAND闪存接口的功耗,同时使数据备份和恢复时间增加。因此,本发明的目的是解决以下问题:

(1)引入DBI后如何存储DBI信息来降低NVDIMM的数据备份功耗;

(2)引入DBI后如何存储DBI信息来降低NVDIMM的数据备份和恢复时间。

本发明通过以下方面解决上述技术问题。

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