[发明专利]半导体芯片、半导体晶圆及其制造方法

说明书

本申请提供了一种半导体芯片、半导体晶圆及其制造方法，其中，半导体芯片包括基底，基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于第一侧面的半导体芯片的源极；设置在基底上的通孔，通孔的设置位置与源极的位置对应，通孔从第二侧面贯穿至第一侧面；基于第二侧面形成、并通过通孔与源极电性接触的种子金属层；基于种子金属层形成的背面金属层，该背面金属层覆盖种子金属层的一部分；至少覆盖于未被所述背面金属层所覆盖的种子金属层边缘的保护材料层。通过在种子金属层未被背面金属层覆盖的边缘位置包裹覆盖保护材料层，从而防止种子金属层产生的卷曲。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体芯片、半导体晶圆及其制造方法。

背景技术

请参照图1，在一些类似晶体管的半导体器件通常包括源极S、漏极D、栅极G及衬底B，此类半导体器件的使用环境中，源极和衬底常需要进行接地处理。在一些实施方式中，为了提高半导体器件的增益，减小接地电感，会在衬底上开设贯穿衬底的通孔，然后用金属填充至通孔中并与半导体器件的源极接触，从而将源极和衬底背面接地的背面金属层相连，以减少源极到地的电感。在这种方式中，通常是先在衬底背面形成经通孔延伸至与源极电性接触的种子金属层，然后在种子金属层上形成用于接地的背面金属层。现有的制造方式中，可能出现种子金属层的边缘卷曲的问题，特别是在种子金属层包括至少两个金属材料层并形成底切结构时(如图2所示)，容易产生种子金属层边缘卷曲的问题，从而影响半导体芯片的后续封装工艺。

发明内容

为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的之一在于提供一种半导体芯片，包括：

基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；

设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；

设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；

基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层；

基于所述种子金属层形成的背面金属层，该背面金属层覆盖所述种子金属层的一部分；

至少覆盖于未被所述背面金属层所覆盖的种子金属层边缘的保护材料层。

可选地，所述保护材料层至少覆盖所述种子金属层未被所述背面金属层所覆盖部分。

可选地，在上述半导体芯片中，所述种子金属层包括至少两个不同的金属材料层；

所述至少两个不同的金属材料层在所述第二侧面上形成一底切结构；

所述保护材料层至少覆盖于形成所述底切结构的金属材料层中、最远离所述第二侧面的金属材料层的边缘。

可选地，在上述半导体芯片中，所述保护材料层的一部分填充于所述底切结构、并与形成所述底切结构的金属材料层中最远离所述第二侧面的金属材料层接触。可选地，所述保护材料层还覆盖所述背面金属层的侧面，所述侧面为背面金属层靠近种子金属层的表面和远离所述种子金属层的表面之间形成的侧面。

可选地，所述保护材料层还覆盖所述背面金属层的远离所述种子金属层的部分表面。

可选地，在上述半导体芯片中，所述保护材料层由高导热材料形成。

可选地，在上述半导体芯片中，所述基底包括衬底层和半导体外延层。

本申请的另一目的在于提供一种半导体晶圆，包括多个本申请提供的所述半导体芯片。

可选地，在上述半导体晶圆中，不同的所述半导体芯片的种子金属层通过划片道相互间隔。

本申请的另一目的在于提供一种半导体晶圆的制造方法，所述方法包括：