[发明专利]薄膜剥离工艺的配置方法及装置在审
申请号: | 201811643616.5 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111384207A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 谢凯;王敬苗 | 申请(专利权)人: | 深圳市永盛隆科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 孟德栋 |
地址: | 518112 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 剥离 工艺 配置 方法 装置 | ||
本发明提供了一种薄膜剥离工艺的配置方法及装置。薄膜剥离工艺包括多个工艺步骤,多个工艺步骤包括预加热工艺步骤和刻蚀工艺步骤,上述配置方法包括:配置与预加热工艺步骤相对应的第一工艺信息,第一工艺信息包括预加热工艺步骤的工艺流程;配置与刻蚀工艺步骤相对应的第二工艺信息,第二工艺信息包括刻蚀工艺步骤的工艺流程。上述方法通过配置预加热工艺步骤的第一工艺信息以及刻蚀工艺步骤的第二工艺信息,将两个工艺步骤进行统一控制,从而将不同工艺槽工位的控制信息相互关系统一,将物料在工艺流程中经历的工位与控制信息关联到一起,实现了物料根据生产实际情况自动选择路径执行工艺的功能,使生产控制简单灵活。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种薄膜剥离工艺的配置方法及装置。
背景技术
砷化镓薄膜太阳能电池的功能层是砷化镓薄膜,该薄膜是采用MOCVD工艺在砷化镓衬底上生长出来的,生长好的砷化镓薄膜需要从衬底上剥离出来,然后继续生长前金属层镀膜、抗反射涂层等其他辅助层。砷化镓薄膜的剥离通常采用外延层剥离技术(ELO,Epitaxial Lift-off),该技术因为使用氢氟酸(HF),因此又称为湿法刻蚀技术。ELO工艺流程如图1所示,包括预热(Pre-heating)、湿法刻蚀(Wet Etching)、清洗(Rinsing)及浸泡(Immersion)四个工艺任务。
在一个例子中,ELO工艺流程的设备布局如图2所示,包括预热槽10(Pre-heatingTank)、湿法刻蚀槽20(Wet etching Tank)、清洗槽30(Rinse Tank)和浸泡槽40(ImmersionTank)四种工艺工位。四种工位分别执行pre-heating、wet etching、rinse和immersion工艺任务。
ELO设备的载具、物料及各工位的工艺任务包括:预热工艺步骤、刻蚀工艺步骤、清洗工艺步骤和浸泡工艺步骤。其中,预热工艺步骤通过预热槽(Pre-heating Tank)使用去离子水对laminated wafer进行预热,保证工艺槽工艺温度的一种辅助手段。刻蚀工艺步骤通过湿法刻蚀槽(Wet etching Tank)使用氢氟酸(HF)对laminated wafer进行刻蚀,将砷化镓薄膜与衬底之间的连接层刻蚀掉。清洗工艺步骤是通过清洗槽(Rinse Tank)按照三阶梯模式设计,对完成刻蚀的砷化镓薄膜及衬底依次进入3个rinse tank进行清洗。浸泡工艺步骤是通过浸泡槽(Immersion Tank)对刻蚀后的砷化镓薄膜及衬底进行剥离前的静置浸泡。
在现有的ELO工艺中,预先配置好预加热工艺步骤中所配置的加热温度以及刻蚀工艺步骤中所配置的刻蚀温度,然后使载具在预热槽中进行预加热工艺步骤,之后移动到工艺槽中进行刻蚀工艺步骤。然而,现有ELO工艺流程作为一个整体存在。同一工艺步骤中的不同配置不能相互替换,不便于新的工艺流程的创建。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种薄膜剥离工艺的配置方法及装置,以解决现有技术中薄膜剥离工艺在控制上复杂性高的问题。
为了实现上述目的,提供了一种薄膜剥离工艺的配置方法,薄膜剥离工艺包括多个工艺步骤,多个工艺步骤包括预加热工艺步骤和刻蚀工艺步骤,配置方法包括:配置与预加热工艺步骤相对应的第一工艺信息,第一工艺信息包括预加热工艺步骤的工艺流程;配置与刻蚀工艺步骤相对应的第二工艺信息,第二工艺信息包括刻蚀工艺步骤的工艺流程。
进一步地,在配置第一工艺信息的步骤之前,配置方法还包括:根据待剥离产品的刻蚀工艺要求和当前不同刻蚀槽中的刻蚀液体,确定刻蚀工艺步骤的工艺槽位,刻蚀工艺要求包括刻蚀液体配比和刻蚀温度。
进一步地,配置第一工艺信息的步骤包括:根据刻蚀工艺步骤的工艺槽位和刻蚀温度,配置第一工艺信息,第一工艺信息包括预加热工艺步骤的加热控制信息,在配置第一工艺信息的步骤中,根据加热控制信息从多个预加热工艺信息表中确定相对应的第一工艺信息。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市永盛隆科技有限公司,未经深圳市永盛隆科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811643616.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的