[发明专利]一种麦克风芯片及麦克风

说明书

本发明实施例公开了一种麦克风芯片及麦克风。所述麦克风芯片包括：依次层叠设置的基底、振膜、牺牲层和背极板；所述基底上设置有第一通孔作为背腔；所述牺牲层与所述第一通孔对应的区域设置有第二通孔，使所述背极板与所述振膜之间形成空腔；所述振膜与所述第二通孔对应的第一振动区域设置有多个第三通孔，所述背极板与所述第二通孔对应的第二振动区域设置有多个第四通孔；所述第三通孔的直径大于或等5微米，且所述第三通孔的个数大于或等于10；所述第四通孔的直径大于或等于5微米。本发明实施例的方案提升了麦克风的信噪比。

技术领域

本发明实施例涉及麦克风技术，尤其涉及一种麦克风芯片及麦克风。

背景技术

随着人工智能时代的来临,智能语音系统被广泛应用于家居、车载、可穿戴设备等。用于语音采集的硅麦克风的频率响应范围为100Hz～10kHz,一般来讲，人们平时讲话的声音频率范围只覆盖到300Hz～3kHz。语音识别系统(如翻译器，机器人)对语音清晰度要求较高，这就需要硅麦克风具有较高的信噪比(65dB～68dB)，而传统的硅麦克风的信噪比一般很难高于65dB，因此亟需提高硅麦克风的信噪比。

发明内容

本发明提供一种麦克风芯片及麦克风，以提升麦克风的信噪比。

第一方面，本发明实施例提供了一种麦克风芯片，该麦克风芯片包括：

依次层叠设置的基底、振膜、牺牲层和背极板；

所述基底上设置有第一通孔作为背腔；

所述牺牲层与所述第一通孔对应的区域设置有第二通孔，使所述背极板与所述振膜之间形成空腔；

所述振膜与所述第二通孔对应的第一振动区域设置有多个第三通孔，所述背极板与所述第二通孔对应的第二振动区域设置有多个第四通孔；

所述第三通孔的直径大于或等于5微米，且所述第三通孔的个数大于或等于10；所述第四通孔的直径大于或等于5微米。

可选的，所述第三通孔的直径大于或等于5微米，且小于或等于10微米；

所述第四通孔的直径大于或等于5微米，且小于或等于15微米。

可选的，沿垂直于所述基底的方向，所述振膜与所述背极板之间的间距小于或等于2微米。

可选的，多个所述第三通孔相对于所述振膜的中心点中心对称分布。

可选的，所述振膜的第一振动区域为圆形，所述第一振动区域的边缘设置有多个缓冲结构，多个所述缓冲结构沿所述第一振动区域的圆周均匀分布；

所述缓冲结构包括圆心位于所述第一振动区域的边界的第一圆弧形沟槽，以及与所述第一振动区域同心的第二圆弧形沟槽；所述第一圆弧形沟槽和所述第二圆弧形沟槽的深度小于所述振膜的厚度；

所述第一圆弧形沟槽与所述第二圆弧形沟槽相交，且所述第二圆弧形沟槽在所述第一圆弧形沟槽处截止。

可选的，所述缓冲结构包括多个同心设置的第一圆弧形沟槽，且沿所述第一振动区域的直径方向，多个所述同心设置的第一圆弧形沟槽的间距相等；

所述缓冲结构包括多个半径不同的第二圆弧形沟槽，且沿所述第一振动区域的直径方向，所述多个半径不同的第二圆弧形沟槽的间距相等。

第二方面，本发明实施例还提供了一种麦克风，该麦克风包括：

ASIC芯片、基座、保护壳和权利要求1-7任一项所述的麦克风芯片；

所述麦克风芯片和所述ASIC芯片设置于所述基座与所述保护壳形成的空腔内，且所述麦克风芯片和所述ASIC芯片固定在所述基座上，所述麦克风芯片和所述ASIC芯片之间电气连接。