[发明专利]超薄型三维集成封装方法及结构

权利要求书

1.一种超薄型三维集成封装方法，其特征在于，包括：

在载板的第一表面形成导电金属柱，将第一芯片贴附在所述载板的第一表面；

将形成有凹槽的第二芯片贴附在所述载板的第一表面，且所述第二芯片形成有凹槽的一面朝向所述载板，所述第一芯片位于所述第二芯片的凹槽内部；所述凹槽设置于所述第二芯片的、与焊盘相对的一侧表面；

在所述载板的第一表面形成模封层，所述模封层包覆所述第二芯片和所述导电金属柱的侧壁，并露出所述第二芯片的焊点和所述导电金属柱的两端。

2.根据权利要求1所述的超薄型三维集成封装方法，其特征在于，所述在载板的第一表面形成导电金属柱，将第一芯片贴附在所述载板的第一表面的步骤包括：

在载板的第一表面设置临时键合层；

将导电金属柱的一端和第一芯片贴附在所述载板的第一表面。

3.根据权利要求1所述的超薄型三维集成封装方法，其特征在于，所述第一芯片的焊点朝向远离所述载板的方向；所述在载板的第一表面形成导电金属柱，将第一芯片贴附在所述载板的第一表面的步骤之前，还包括：

在载板表面设置第一布线层。

4.根据权利要求3所述的超薄型三维集成封装方法，其特征在于，所述将形成有凹槽的第二芯片贴附在所述载板的第一表面的步骤之后，还包括：在所述第一芯片的焊点与所述第一布线层之间设置金属打线。

5.根据权利要求1所述的超薄型三维集成封装方法，其特征在于，所述第一芯片的焊点朝向所述载板；所述在所述载板的第一表面形成模封层的步骤之后，还包括：

拆除所述载板；

在原先贴附载板的一面形成第一布线层，所述第一布线层的导线中的至少部分与所述第一芯片的焊点和/或所述导电金属柱的端部电连接。

6.根据权利要求1所述的超薄型三维集成封装方法，其特征在于，所述在所述载板的第一表面形成模封层的步骤之后，还包括：

在模封层上形成第二布线层，所述第二布线层的导线中的至少部分与所述第二芯片的焊点和/或所述导电金属柱的端部电连接；

在布线层上设置焊球。

7.一种超薄型三维集成封装结构，其特征在于，包括：

第一芯片；

第二芯片，朝向第一方向的一侧表面开设有凹槽，所述第一芯片位于所述第二芯片的凹槽内部；

模封层，包覆所述第二芯片的侧壁，并露出所述第二芯片的焊点；

导电金属柱，贯通所述模封层，且其两端分别在所述模封层的两侧表面露出。

8.根据权利要求1所述的超薄型三维集成封装方法，其特征在于，所述第一芯片具有待保护结构，且所述待保护结构朝向远离所述第一方向的方向。

9.根据权利要求7所述的超薄型三维集成封装结构，其特征在于，还包括：

第一布线层，设置在所述模封层朝向所述第一方向的表面，所述第一布线层的导线中的至少部分与所述第一芯片的焊点和/或所述导电金属柱的端部电连接。

10.根据权利要求7所述的超薄型三维集成封装结构，其特征在于，还包括：

第二布线层，设置在所述模封层远离所述第一方向的一侧表面，且所述第二布线层的导线中的至少部分与所述导电金属柱的端部和/或所述第二芯片的焊点电连接；

焊球，设置在布线层上。