[发明专利]一种晶体生长方法

权利要求书

1.一种晶体生长方法，其特征在于包括以下工艺流程：

S1：对石英管、石英封帽、PNB坩埚均采用如下方式清洗：

首先采用有机溶剂擦洗，并用去离子水冲洗，接着用酸或王水进行浸泡清洗，最后用去离子水冲洗干净，并烘干备用；

S2：对石英管、石英封帽和PNB坩埚进行真空退火；

S3：PNB坩埚放在石英管内，将所需原材料装入PNB坩埚内部，然后对石英管进行抽真空，当真空度达到设计要求，盖上石英封帽，对石英管进行封管处理；

S4：将封闭的石英管放入生长炉内，控制石英管的升温温度梯度、恒温过程以及降温速率，在PNB坩埚内完成晶体生长；

S5：晶体生长后的退火处理。

2.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，S1中所述有机溶剂为丙酮或酒精；所述用酸或王水进行浸泡时间为8-12小时。

3.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，S2中对石英管、石英封帽和PNB坩埚的真空退火温度为1200℃，退火时间为30小时，真空度为10^-4mmHg以上。

4.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，S3中在PNB坩埚内所装入的原材料为：覆盖剂氧化硼、红磷、磷化铟多晶以及掺杂剂铁。

5.根据权利要求4所述的晶体生长方法，其特征在于，S3中覆盖剂氧化硼的含水量在300ppm以下，纯度为6N；红磷的含量为保证晶体生长时石英管内的红磷蒸气压不低于2.8MP；磷化铟多晶的浓度低于5x10¹⁵/cm³，迁移率高于4000cm²/Vs，无包裹铟等夹杂物；掺杂剂铁的浓度范围(3-10)x10¹⁵/cm³。

6.根据权利要求4所述的晶体生长方法，其特征在于，S5中晶体生长后的退火处理具体为以下方式：对生长的晶体棒进行切片处理，石英管内放入晶体切片与红磷，盖上石英封帽，进行退火处理，退火温度为950℃，退火时间为60小时±10小时。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的晶体生长方法，其特征在于，S3中对石英管进行的封管处理为用氢氧焰烧结封口。