[发明专利]一种量子点固态膜及其制备方法在审
申请号: | 201811645837.6 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111378434A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 程陆玲;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/88 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 固态 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种量子点固态膜及其制备方法,其中,所述量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点,所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子与巯基胺中的铵根离子结合。本发明提供的量子点固态膜具有优良的均一性和致密性。
技术领域
本发明涉及量子点领域,尤其涉及一种量子点固态膜及其制备方法。
背景技术
量子点纳米晶是一种重要的纳米材料,涉及量子点纳米的应用面比较广,例如:发光二极管、电池、生物、显示、照明等诸多领域。
量子点的应用领域比较广泛,对于不同的领域而言通常需要的量子点的组成形态不一样,对于量子点发光器件、电池、照明、显示领域而言都需要制备量子点固态膜;如何制备一种均一性致密性非常好的量子点固态膜对于上述应用非常重要。
现有的制备量子点固态膜的技术方案主要是采用旋涂、涂布技术,而这些技术并不能够制得厚度均一的量子点固态膜。
因此,现有技术还有待于改进。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点固态膜及其制备方法,旨在解决现有技术在制备的量子点固态膜均一性以及致密性较差的问题。
本发明的技术方案如下:
一种量子点固态膜,其中,所述量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点,所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子与巯基胺中的铵根离子结合。
一种量子点固态膜的制备方法,其中,包括步骤:
提供表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点;
将所述第一量子点和第二量子点分散在极性溶剂中,形成混合量子点溶液;
将所述混合量子点溶液沉积在基板上,在第一温度条件下加热制得所述量子点固态膜。
有益效果:本发明提供的量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点,所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子与巯基胺中的铵根离子结合在一起。本发明提供的量子点固态膜中的第一量子点和第二量子点之间通过表面配体交联结合在一起,使得所述量子点固态膜具有优良的均一性和致密性。
附图说明
图1为本发明一种量子点固态膜的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点固态膜及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明提供一种量子点固态膜,其中,所述量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点,所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子与巯基胺中的铵根离子结合。
请参阅图1,本发明提供一种量子点固态膜的制备方法较佳实施例的流程图,其中,如图所示,包括步骤:
S100、提供表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点;
S200、将所述第一量子点和第二量子点分散在极性溶剂中,形成混合量子点溶液;
S300、将所述混合量子点溶液沉积在基板上,在第一温度条件下加热制得所述量子点固态膜。
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