[发明专利]硅碳负极材料及其制备方法、应用和制得的锂离子电池有效
申请号: | 201811645979.2 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111384380B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 马飞;刘冬冬;沈龙;丁晓阳 | 申请(专利权)人: | 上海杉杉科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;刘奉丽 |
地址: | 201209 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负极 材料 及其 制备 方法 应用 锂离子电池 | ||
1.一种硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
(1)将中值粒径为1~10μm的氧化亚硅与气态碳源进行气相沉积反应;
(2)通入混合气体进行氧化反应后,在惰性气氛的条件下冷却;所述混合气体包含氧化性气体,所述氧化性气体占所述混合气体的体积比为1~90%;
所述硅碳负极材料中的碳含量为1~10wt%,所述硅碳负极材料的碳含量为所述气态碳源的碳含量与总质量之比,所述总质量为所述气态碳源的碳含量与所述氧化亚硅的质量之和,所述气态碳源的碳含量为所述气态碳源的分子量、所述气态碳源的流量、所述气相沉积反应的时间与所述气态碳源的残炭值的乘积;
所述氧化亚硅的纯度大于99.9%;
步骤(2)中,所述混合气体通入的时间为2~10小时;
所述氧化反应用于调控硅碳负极材料表面的孔结构。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述氧化亚硅的中值粒径为3~10μm;和/或,步骤(1)中,所述氧化亚硅为经粉碎得到;
和/或,步骤(1)中,所述气态碳源为C1~C5烷烃、C1~C5烯烃、C1~C5炔烃及其衍生物中的一种或多种;
和/或,步骤(1)中,所述气相沉积反应是在卧式加热反应器进行。
3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述氧化亚硅的中值粒径为5μm或者8μm。
4.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述粉碎的方式为球磨粉碎和/或气流粉碎。
5.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述气态碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、丙醇和丙酮中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述气态碳源为乙炔和/或丙酮。
7.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述气相沉积反应是在气相沉积炉进行。
8.如权利要求1~7任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述气相沉积反应按下述步骤进行:在持续通入惰性气氛的条件下,加热所述氧化亚硅后,通入所述气态碳源进行气相沉积反应后,冷却即可。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述气相沉积反应的过程中,所述惰性气氛为氮气气氛和/或稀有气体的气氛;
和/或,所述气相沉积反应的过程中,所述惰性气氛的流速为10~100sccm;
和/或,所述气相沉积反应的过程中,所述加热的速率为1~10℃/min;
和/或,所述气相沉积反应的过程中,所述加热后的温度为600~1000℃;
和/或,所述气相沉积反应的过程中,所述冷却后的温度为400~550℃;
和/或,所述气相沉积反应的过程中,所述气态碳源的体积比为5~40%;体积比为气态碳源占总气体的体积比,总气体为气态碳源与惰性气氛的体积之和。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述气相沉积反应的过程中,所述稀有气体为氩气。
11.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述气相沉积反应的过程中,所述惰性气氛的流速为50sccm。
12.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述气相沉积反应的过程中,所述加热的速率为5℃/min。
13.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述气相沉积反应的过程中,所述加热后的温度为800℃。
14.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述气相沉积反应的过程中,所述冷却后的温度为400℃、500℃或550℃。
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