[发明专利]MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的制造方法，包括：

在半导体衬底中形成空腔；

在所述空腔上形成结构层；

在所述结构层中形成至少一个感应电阻；以及

经由所述结构层形成到达所述空腔的第二开口，

其中，所述结构层与所述第二开口相邻的部分形成质量块，所述结构层分别与所述半导体衬底以及所述质量块相连的部分形成悬臂，所述感应电阻位于所述悬臂中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述空腔的步骤包括：

在半导体衬底中形成阱区，所述阱区围绕第一区域；

在所述第一区域中形成第一掺杂区；

在所述第一区域中形成围绕所述第一掺杂区的第二掺杂区；以及

采用蚀刻相对于所述阱区、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区去除所述半导体衬底的一部分，在所述第一区域中形成所述空腔。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区位于所述空腔的上方，

所述第一掺杂区与所述第二掺杂区包括到达所述空腔的多个第一开口。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区为网格形状，所述多个第一开口作为所述网格的网孔。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述半导体衬底的一部分的步骤包括：

采用电化学腐蚀将所述第一区域转变成多孔层，其中，所述阱区、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区分别连接电极；以及

采用蚀刻相对于所述半导体衬底、所述阱区、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区去除所述多孔层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在电化学腐蚀中采用的腐蚀溶液包括氢氟酸与选自甲醇、乙醇、丙醇和异丙醇中至少一种组成的混合溶液。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述结构层的步骤包括在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区上方形成外延层，

其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区横向外延，封闭所述第一开口。

8.根据权利要求7所述的方法，在形成所述第二开口的步骤之前，还包括：

在所述外延层上形成隔离层；以及

在所述隔离层上形成布线层，所述布线层穿过所述隔离层与所述感应电阻连接。

9.根据权利要求2-8任一所述的方法，其中，在形成第一掺杂区和第二掺杂区的步骤中，通过控制所述第一掺杂区的结深来控制所述质量块的厚度，以及通过控制所述第二掺杂区的结深来控制所述悬臂的厚度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一掺杂区的结深小于所述空腔的深度，所述第二掺杂区的结深小于所述第一掺杂区的结深，所述阱区的结深大于或等于所述空腔的深度。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第二开口的步骤包括：采用蚀刻相对于所述第一掺杂区去除部分所述第二掺杂区、部分所述外延层以及部分所述隔离层。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述阱区、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述外延层为相同的掺杂类型。

13.一种MEMS器件，包括：

半导体衬底；

空腔，位于所述半导体衬底中；

结构层，在所述空腔上方；

至少一个感应电阻，位于所述结构层中；以及

第二开口，经由所述结构层到达所述空腔，

其中，所述结构层与所述第二开口相邻的部分形成质量块，所述结构层分别与所述半导体衬底以及所述质量块相连的部分形成悬臂，所述感应电阻位于所述悬臂中。

14.根据权利要求13所述的MEMS器件，还包括阱区，位于所述半导体衬底中并围绕所述空腔。