[发明专利]一种PN结扩散方法

权利要求书

1.一种PN结扩散方法，包括原硅片，原硅片为N型，其特征在于，扩散过程中包括以下步骤：

S1：对原硅片放置在清洗机上进行清洗，清洗后烘干，然后取出待用；

S2：对上一步原硅片的上方涂覆硼扩散源，对N型原硅片的下方涂覆磷扩散源，然后装入石英舟后待用；

S3：将上一步中的石英舟放入扩散炉中进行硅片扩散，得到P﹢/N/N﹢型结构；

S4：将扩散后的硅片放置到氢氟酸中，直至硅片分开；

S5：将分开后的硅片放置在喷砂机中，对分开后的硅片进行双面喷砂；

S6：喷砂后的硅片进行表面金属化处理；

S7：完成了晶片的制作过程。

2.根据权利要求1所述的PN结扩散方法，其特征在于，所述清洗包括将原硅片放入氢氟酸中浸泡12-48小时，然后取出通过清水冲洗1-1.5小时，再用清洗剂进行超声清洗0.25-0.5小时。

3.根据权利要求1或2所述的PN结扩散方法，其特征在于，所述磷扩散源包括以下组分，各组分以重量计算，其含量为：

NH₄H₂PO₄：80-100g；

H₂O: 180-200g；

H₃PO₄：7-10g。

4.根据权利要求3所述的PN结扩散方法，其特征在于，所述硼扩散源包括以下组分，各组分以重量计算，其含量为：

B₂O₃：35-45g;

C₂H₆O: 100-110g。

5.根据权利要求1或2或4所述的PN结扩散方法，其特征在于，所述扩散炉中扩散温度为：1220℃-1270℃；扩散时间为20-35小时。

6.根据权利要求1或2或4所述的PN结扩散方法，其特征在于，在清洗前，还包括筛选步骤，对原硅片进行筛选，选择电阻率为30-40 Ωcm的原硅片，以及原硅片的厚度为265-275μm。