[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述制备方法包括步骤：提供溶液，所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯；提供阳极基板，将所述溶液沉积在阳极基板上加热，制备得到电子传输层；或者，提供阴极基板，将所述溶液沉积在所述阴极基板上加热，制备得到电子传输层。本发明中，通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯，羧酸酯可以以物理吸附的方式存在于制备得到的所述电子传输层中，当水氧侵入时，可以缓慢地吸收水氧，并与水气反应，减缓水氧对于量子点发光层以及空穴传输层的侵蚀，有效地提升器件的工作寿命。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

半导体量子点（Quantum dots）具备发光波长可调（仅通过调整纳米半导体尺寸即可覆盖从可见光到近红外的波长范围）、亮度高（量子产率超过90%）、色彩纯正（发光峰半高宽小于30nm）等优良特点，通过制备p-i-n结构的器件，可以获得高外量子效率和低驱动电压的量子点发光二极管（Quantum-dot Light Emitting Diode，QLED），当前QLED的色域值已经超越传统的LCD和有机发光二极管，是未来显示行业重要的发展技术。

不同于当前主流的通过蒸镀方式获得的有机发光二极管，QLED可通过旋涂、印刷、涂布、喷墨打印等溶液方法制备，大大降低了制备工艺的复杂程度和制备成本，有利于将来大规模工业化推广。经过了将近25年的发展，量子点的外量子效率已经由0.01%提升至超过25%，量子点发光二极管(QLED)已经相当接近或超越了有机发光二极管的器件效率。

然而，尽管量子点器件拥有上述的优势，目前QLED的工作寿命仍未满足工业化的要求。在QLED器件工作过程中，往往无法完全避免水氧的侵入，水氧对量子点发光层以及空穴传输层侵蚀，从而降低器件的工作寿命。因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决量子点发光二极管工作过程中，无法完全避免水氧的侵入，导致降低器件工作寿命的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供溶液，所述溶液包括氧化锌纳米颗粒和羧酸酯；

提供阳极基板，将所述溶液沉积在所述阳极基板上加热，制备得到电子传输层；

或者，

提供阴极基板，将所述溶液沉积在所述阴极基板上加热，制备得到电子传输层。

一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其中，所述电子传输层材料包括氧化锌纳米颗粒和分散在氧化锌纳米颗粒之间的羧酸酯。

有益效果：本发明中，通过溶液法在氧化锌纳米颗粒作为电子传输材料制备电子传输层的过程中加入羧酸酯，羧酸酯分散在制备得到的所述电子传输层中，当水氧侵入时，可以缓慢地吸收水氧，并与水气反应，减缓水氧对于量子点发光层以及空穴传输层的侵蚀，有效地提升器件的工作寿命。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

图2为本发明另一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

图3为本发明一些具体的实施方式中提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

图4为本发明另一些具体的实施方式中提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

图5为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。