[发明专利]一种多孔硅碳复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201811647598.8 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109755520B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 陈松;李能;李钰;彭杨城;皮涛;王志勇;邵浩明;余梦泽 | 申请(专利权)人: | 湖南中科星城石墨有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/48 |
代理公司: | 长沙中科启明知识产权代理事务所(普通合伙) 43226 | 代理人: | 匡治兵 |
地址: | 410600 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种多孔硅碳复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A1、球磨制备SiOx:将硅粉与分散质置于球磨罐中进行球磨,部分反应生成SiOx,取出干燥;其中,所述分散质为去离子水、乙醇溶液、异丙醇溶液中的一种;
A2、球磨制备表面有SiO2结晶的SiO2-SiOx复合颗粒:取步骤A1制备的SiOx与碱溶液置于球磨罐中进行球磨,将球磨后物料与酸溶液中和反应,再用去离子水真空抽滤至中性后干燥,得到SiO2-SiOx复合颗粒;其中,所述碱溶液为NaOH、KOH、Na2CO3中的一种;
A3、CVD法制备C-SiO2-pSi包覆颗粒:将步骤A2制备的SiO2-SiOx复合颗粒置于带有保护气氛的真空回转炉中用碳源进行气相包覆,包覆过程在保护气氛中进行,包覆温度为800~1000℃,气相包覆后得到C- SiO2-pSi包覆颗粒;
A4、将步骤A3气相包覆后的C-SiO2-pSi包覆颗粒与0.1~20%的NaOH溶液反应20~360min,然后用去离子水真空抽滤至中性,真空干燥,得到多孔硅碳复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种多孔硅碳复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A1、球磨制备SiOx:取微米硅粉与分散质置于球磨罐中进行高能球磨,部分反应生成SiOx,取出干燥;
A2、球磨制备表面有SiO2结晶的SiO2-SiOx复合颗粒:取步骤A1制备的SiOx与碱溶液置于球磨罐中进行高能球磨,球磨转速为500~1000r/min,球磨时间为10~36h,然后将球磨后物料与盐酸或者醋酸溶液进行中和反应,再用去离子水真空抽滤至中性后干燥,得到SiO2-SiOx复合颗粒;
A3、CVD法制备C-SiO2-pSi包覆颗粒:将步骤A2制备的SiO2-SiOx复合颗粒置于真空回转炉中进行气相包覆,所述气相包覆采用的碳源包括乙烯、乙炔、聚丙烯中的一种或两种以上的组合,包覆过程在保护气氛中进行,包覆温度为800~1000℃,气相包覆后得到C- SiO2-pSi包覆颗粒;
A4、将步骤A3气相包覆后的C-SiO2-pSi包覆颗粒与0.1~20%的NaOH溶液反应20~360min,再用去离子水真空抽滤至中性,然后真空干燥12h,得到多孔硅碳复合材料。
3.根据权利要求2所述的一种多孔硅碳复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A1、球磨制备SiOx:取微米硅粉与分散质按照1:(0.6-2)质量比置于球磨罐中,球磨转速为500~1000r/min,高能球磨2~12h,部分反应生成SiOx,取出样品干燥12h,其中,微米硅粉的颗粒直径≤5μm;
A2、球磨制备表面有SiO2结晶的SiO2-SiOx复合颗粒:取步骤A1制备的SiOx与碱溶液按照1:(0.02-1)质量比置于球磨罐中球磨,球磨转速为500~1000r/min,球磨时间为10~36h,然后将球磨后物料与盐酸或者醋酸溶液中和反应1~6h,再用去离子水真空抽滤至中性后干燥,得到SiO2-SiOx复合颗粒;
A3、CVD法制备C-SiO2-pSi包覆颗粒:将步骤A2制备的SiO2-SiOx复合颗粒置于真空回转炉中进行气相包覆,气相包覆采用的碳源包括乙烯、乙炔、聚丙烯中的一种或两种以上的组合,包覆过程在保护气氛中进行,包覆温度为800~1000℃,包覆时间为1~12h,气相包覆后得到C- SiO2-pSi包覆颗粒;
A4、将步骤A3气相包覆后的C-SiO2-pSi包覆颗粒与0.1~20%的NaOH溶液反应20~360min,再用去离子水真空抽滤至中性,然后真空干燥12h,得到多孔硅碳复合材料。
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