[发明专利]一种氧化钼复合晶体材料的制备方法

说明书

本发明提供了一种氧化钼复合晶体材料的制备方法，包括如下步骤；首先，在惰性气体气氛下对钼源进行通电同时对钼源进行加热，并通入混有有机溶剂的惰性气体；然后，对钼源在预定的温度下加热预定的时间；最终，在空气气氛下对在上一步中得到的材料进行加热处理预定的时间。本发明提供的氧化钼复合晶体材料具有较大的比表面积以及良好的电化学性能。

技术领域

本发明涉及一种晶体材料的技术领域，具体地涉及一种晶体材料的制备方法。

背景技术

目前已报道过的氧化钼开孔方法有：蒸发诱导自主装法，气相冷凝法，软模板法和硬模版法。其中蒸发诱导自主装法对仪器要求较高；气相冷凝法得到的孔径不够均匀；软模板法存在作为结构导向剂的表面活性剂难以移除的特点。若使用的表面活性剂不能去除干净，也就得不到较纯的材料物相，影响材料的电化学性能。与前三种方法比较，硬模版法相对容易实施，通过硬模版法合成的材料，孔径大小可以调节，制备出的介孔材料具有高的比表面积和大的孔容量。然而，硬模版法同样存在模板难以移除的问题，使得材料物相不纯。另外三氧化钼既可溶解于酸又可溶解于碱，限制了通常用于移除模板的氢氟酸和氢氧化钠溶液的使用，同样也限制了硬模版法在制备多孔氧化钼中的应用。人们急需发明一种能使氧化钼过渡金属具有产业化应用的大比表面积的多孔结构的制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶体材料的制备方法。

一种氧化钼复合晶体材料的制备方法，包括如下步骤；首先，在惰性气体气氛下对钼源进行通电同时对钼源进行加热，并通入混有有机溶剂的惰性气体；然后，对钼源在预定的温度下加热预定的时间；最终，在空气气氛下对在上一步中得到的材料进行加热处理预定的时间。

优选地，所述钼源钼丝。

优选地，所述有机溶剂为乙醇、丙酮或者苯类溶剂中的至少一种。

优选地，所述钼源在混有有机溶剂的惰性气体气氛中的加热温度介于200-1600℃之间，反应时间介于1-10小时之间。

优选地，在空气气氛下加热的温度介于在250-600℃之间，反应时间介于2-60小时。

优选地，所述氧化钼复合晶体材料为多孔结构，并且为贯穿连通的开孔。

优选地，所述钼丝与电流控制器电连接，通过电流控制器来控制通过所述钼丝的电流的大小。

一种超级电容器，包括外壳和卷芯，所述外壳具有收容空间，所述卷芯收容于所述外壳内，其中卷芯包括正极片和负极片，所述正极片和负极片上的电极材料为如上任意一项所述的氧化钼复合晶体材料的制备方法所制备的氧化钼复合晶体材料。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1是本发明提供的氧化钼复合晶体材料的扫描电镜图；

图2是图1所示的氧化钼复合晶体材料更高倍数下的扫描电镜图；

图3是图1所示的氧化钼符合晶体材料另一角度的扫描电镜图。

图4是本发明提供的超级电容器的多种活性材料的电化学测试图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。