[发明专利]一种热激活延迟荧光化合物及其应用

说明书

本发明涉及有机电致发光材料技术领域，公开了一种热激活延迟荧光化合物及其应用。本发明所提供的热激活延迟荧光化合物，其单线态与三线态能级差较小，有利于提高三线态激子向单线态激子的反向间隙窜越概率；另外，在保持较低的单线态与三线态能级差的同时，本发明所提供的热激活延迟荧光化合物还具有较高的S1至S0电子跃迁阵子强度，使得该种热激活延迟荧光化合物具有较高的光辐射跃迁速率，有利于提高化合物的发光效率。

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别涉及一种热激活延迟荧光化合物及其应用。

背景技术

有机电致发光材料分为荧光电致发光材料和磷光电致发光材料。其中，磷光电致发光材料可以通过重金属效应利用到全部激子的能量，因而具有更大的优越性。2009年，热激活延迟荧光化合物，即TADF(Thermally activated delayed fluorescence)材料，被提出并应用于有机电致发光器件技术领域。该类荧光化合物在热激发下能利用三线态激子的反向间隙窜越，获得100％单线态激子，既避免了使用昂贵的重金属配合物，且器件效率可与磷光器件相媲美。自此，荧光材料又重新引起研究者的关注。

但是，现有的热激活延迟荧光化合物及以其制备的器件还存在很多不足，如材料种类比较有限、器件的稳定性有待提高等。相关现有技术中，为了设计热激活延迟荧光化合物、并实现较低的ΔE_ST，就需要通过将分子中的HOMO和LUMO轨道进行严格的完全分离，实现这种分离的技术就是在分子中的推电子单元和吸电子单元中间采用阻隔单元设计。这样的传统分子设计虽然获得了理想的ΔE_ST值，但完全的HOMO与LUMO轨道分离和阻隔单元的嵌入，造成了分子中的HOMO与LUMO中电子交换积分趋近于0，即分子中的辐射跃迁速率常数Kr@S1->S变小，不利于分子的发光效率提升。此外中间阻隔单元造成分子结构比较柔性，从而降低了分子的光辐射跃迁常数和跃迁时的阵子强度(Kr正比于阵子强度f)。

因此有必要提供一种不但具有较低的ΔEST，并且保持较佳的发光效率、以及较高的分子光辐射跃迁阵子强度的热激活延迟荧光化合物。

发明内容

本发明的目的在于为克服上述不足提供一种热激活延迟荧光化合物及其应用，该种热激活延迟荧光化合物的ΔE_ST(单线态与三线态能级差)较低，且具有较高的S1至S0电子跃迁阵子强度以及较高的光辐射跃迁速率。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种热激活延迟荧光化合物，其具有式(Ⅰ)或式(II)所示的结构：

其中，

X₁、X₂同为O或X₁、X₂同为S；

R₁、R₂各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素、取代或未取代的C1-C8烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C5-C36杂芳基、取代或未取代的氨基；

D具有式(III)所示的结构：

式(III)中，

R₃、R₄、R₅、R₆各自独立地选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1-C8烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C5-C36杂芳基、取代或未取代的氨基，且R₃、R₄、R₅、R₆各自独立地为1-4个；

X₃选自C或Si。