[发明专利]多层结构的顶部膜层的去除方法

权利要求书

1.一种多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底上形成由多层结构形成的图形结构，所述多层结构的顶部膜层为需要去除的牺牲层，所述顶部膜层底部的所述多层结构中具有至少一层和所述顶部膜层刻蚀速率接近的中间被保护膜层；所述多层结构之间为间隔区域；

步骤二、在所述间隔区域中形成有机保护层，所述有机保护层的刻蚀速率小于所述顶部膜层的刻蚀速率；

所述有机保护层保证将所述顶部膜层的表面露出，所述有机保护层的顶部表面保证高于最高的所述中间被保护膜层的顶部表面，使所述有机保护层从侧面对各所述中间被保护膜层进行保护；

步骤三、采用第一次湿法刻蚀工艺去除所述顶部膜层；在所述第一次湿法刻蚀工艺中所述有机保护层的厚度保持不变；或者，在所述第一次湿法刻蚀工艺中，所述有机保护层会消耗，在所述第一次湿法刻蚀工艺之后，剩余的所述有机保护层的顶部表面要保证高于最高的所述中间被保护膜层的顶部表面；

步骤四、去除所述有机保护层。

2.如权利要求1所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述多层结构的各膜层都为介质层。

4.如权利要求3所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述顶部膜层的材料包括：氧化硅，氮化硅，氮氧化硅。

5.如权利要求4所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述中间被保护膜层的材料和所述顶部膜层的材料的刻蚀速率趋于相同。

6.如权利要求5所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述有机保护层的材料包括光刻胶，有机介电层。

7.如权利要求6所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：步骤二中所述有机保护层采用涂布的方式在所述间隔区域中形成所述有机保护层。

8.如权利要求7所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：在所述涂布工艺完成之后进行所述有机保护层的表面处理工艺，所述表面处理工艺保证使所述顶部膜层的表面露出。

9.如权利要求8所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述表面处理工艺采用双氧水溶液进行处理。

10.如权利要求6所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：步骤四中采用干法刻蚀工艺去除所述有机保护层。

11.如权利要求10所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：在去除所述有机保护层之后还包括进行一次清洗工艺，用以去除所述半导体衬底表面的缺陷。

12.如权利要求1所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述多层结构为双重图形刻蚀工艺中使用的结构。

13.如权利要求12所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述多层结构中所述顶部膜层底部的膜层为2层以上。

14.如权利要求12所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述多层结构包括MOS晶体管的栅极结构。

15.如权利要求14所述的多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于：所述MOS晶体管包括PMOS管和NMOS管。