[发明专利]半导体器件及制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底一侧的半导体层，所述半导体层至少包含第一半导体层和第二半导体层，且二者之间形成二维电子气；

设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的至少两个电极，其中任意相邻的两个电极分别为第一电极和第二电极；

设置在所述第一电极一侧的复合结构，且所述复合结构和第一电极连接形成复合电极，其中所述复合结构位于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述复合结构与所述第一半导体层形成的二维电子气浓度高于周围的二维电子气浓度；

所述复合结构包括第三半导体层和位于第三半导体层远离衬底一侧的第四半导体层，其中所述第三半导体层的电极性与第四半导体层的电极性相反；

所述第四半导体层的电极性与所述的第二半导体层的电极性相反。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体层的厚度h＞20nm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体层和第二半导体层含铝组分，且第三半导体层的铝组分含量高于第二半导体层的铝组分含量。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述复合结构还包括附加电极，所述附加电极形成于所述第四半导体层远离衬底一侧，且所述附加电极与所述第一电极通过金属连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二电极至所述第一电极的延伸方向上，所述第三半导体层的长度大于等于第四半导体层的长度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第四半导体层靠近所述第一电极一侧的边缘与第一电极之间的距离L满足h≤L＜2h，h代表第三半导体层的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极与所述第四半导体层靠近所述第二电极一侧的边缘之间的距离d需要满足V_br=E_c*d，其中E_c代表所述第二电极与复合电极之间的平均电场，V_br代表所述半导体器件的第一电极和第二电极之间承受电压。

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二电极和第一电极之间设置沟槽，所述复合结构覆盖所述沟槽，且至少部分所述第三半导体层覆盖所述沟槽，所述第四半导体层覆盖在所述沟槽内的第三半导体层远离衬底一侧。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第四半导体层靠近衬底一侧的表面与第一半导体层远离衬底一侧的表面之间的距离，大于等于第三半导体层厚度且小于等于第二半导体层厚度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽底部达到所述第一半导体层远离衬底一侧的表面，所述第三半导体层和所述第一半导体层接触并产生高于周围浓度的二维电子气。

11.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一电极远离所述第二电极的一侧设置沟槽，所述复合结构覆盖所述沟槽，所述沟槽的底部延伸至所述第一半导体层内。

12.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底一侧生长半导体层：至少包括第一半导体层和第二半导体层，且二者之间形成二维电子气；

在所述半导体层远离所述衬底一侧形成至少两个电极，其中任意相邻的两个电极分别为第一电极和第二电极；

在所述第一电极任意一侧形成包括第三半导体层和位于第三半导体层远离衬底一侧的第四半导体层的复合结构，且所述复合结构和第一电极通过金属连接形成复合电极；

所述第四半导体层的电极性与所述的第二半导体层的电极性相反。