[发明专利]一种X射线源在审
申请号: | 201811653974.4 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109786193A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 朱国平;邓艳丽;阮明;苗齐田;李君利 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司;清华大学 |
主分类号: | H01J35/14 | 分类号: | H01J35/14;H01J35/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束产生装置 准直孔 电子束 发射 准直器 发射端 照射 配置 | ||
本发明公开了一种X射线源,包括:电子束产生装置,配置用于发射电子束;X射线靶,所述X射线靶设置在所述电子束产生装置发射的电子束的发射方向上;准直器,所述准直器包括准直孔并且所述准直孔位于所述电子束产生装置的发射端和所述X射线靶之间,所述准直孔的尺寸小于所述X射线靶的尺寸,所述电子束产生装置发射的电子束通过所述准直孔照射在所述X射线靶上产生X射线。
技术领域
本公开的至少一个实施例涉及一种X射线源。
背景技术
加速管将将电子枪产生的电子加速到一定能量后打到靶上,在靶中产生韧致辐射,发射X射线;X射线透过被检物质后由X射线探测器探测到并转换成电信号记录;被检物的X射线探测图像,可通过X射线点、线扫描或面照射获取,其中,图像细腻度和空间分辨率是衡量X射线探测图像的质量的一个重要指标;影响该指标的因素有多种,其中产生X射线的源像的几何尺寸是其中关键的因素之一。
常规的X射线源,电子经电磁场加速后打到目标辐射靶上,电子在辐射靶中经韧致辐射产生X射线;X射线能量、强度与电子能量和强度相关,同时与辐射靶物质的性质密切相关;X射线的源像的几何尺寸更是直接由电子打在辐射靶上的束斑大小决定。缩小X射线的源像的几何尺寸就要缩小加速器的电子束流打到辐射靶上的束斑尺寸。
现存多种技术可以实现缩小加速器的电子束流打到辐射靶上的束斑尺寸,如静电加速器上常用磁偏转器聚焦、驻波电子直线加速器中的RF相位聚焦等技术,这类技术均表现为技术复杂、造价高、设备占地空间大以及调试较难。
发明内容
本公开的目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。
本公开的至少一种实施例提供一种X射线源,通过在X射线靶前设计准直器,将电子加速器发射的电子束进行准直,在X射线靶上形成较小的束流斑点,实现几何尺寸较小的X射线的源像。
本公开的至少一种实施例提供一种X射线源,包括:电子束产生装置,配置用于发射电子束;X射线靶,所述X射线靶设置在所述电子束产生装置发射的电子束的发射方向上;准直器,所述准直器包括准直孔并且所述准直孔位于所述电子束产生装置的发射端和所述X射线靶之间,所述准直孔的尺寸小于所述X射线靶的尺寸,所述电子束产生装置发射的电子束通过所述准直孔照射在所述X射线靶上以产生X射线。
根据本公开的实施例,还包括过滤片,所述过滤片设于所述X射线靶远离所述电子加速器的发射端的一侧以过滤透射过所述X射线靶的电子。
根据本公开的实施例,所述准直器包括位于所述准直器的远离所述电子束产生装置的端部的凹槽,所述X射线靶容置在所述凹槽内固定连接至所述准直器,所述凹槽与所述准直孔连通。
根据本公开的实施例,所述准直器的远离所述电子束产生装置的端部设有凹槽,所述X射线靶容置在所述凹槽内固定连接至所述准直器,所述凹槽与所述准直孔连通,所述过滤片与所述准直器和所述X射线靶相抵接以将所述X射线靶夹持在所述准直器和所述过滤片之间。
根据本公开的实施例,所述凹槽的深度等于所述X射线靶的厚度。
根据本公开的实施例,所述凹槽的深度小于所述X射线靶的厚度,所述过滤片在朝向所述X射线靶的一侧上设有定位槽以便容置从所述凹槽中凸出的所述X射线靶。
根据本公开的另一种实施例,所述凹槽的深度大于所述X射线靶的厚度,所述过滤片在朝向所述X射线靶的一侧上设有定位凸块以便伸至所述凹槽中抵接所述凹槽中的所述X射线靶。
根据本公开的实施例,所述过滤片的横截面的形状与所述准直器的横截面的形状相同,所述过滤片的横截面的尺寸与所述准直器的横截面的尺寸相同。
根据本公开的实施例,所述X射线靶的厚度不大于1mm。
根据本公开的实施例,所述X射线靶由钨、铜、银和钯中的至少一种制成。
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