[发明专利]一种高增益放大电路有效
申请号: | 201811654773.6 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109831168B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 师雨 | 申请(专利权)人: | 深圳云天励飞技术有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/48;H03G3/30 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区园山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增益 放大 电路 | ||
1.一种高增益放大电路,其特征在于,所述放大电路包括:主放大器、第一辅助放大器、第二辅助放大器、共模反馈电路和第三辅助电路;
所述主放大器分别与所述第一辅助放大器和所述第二辅助放大器相连接,所述第一辅助放大器的一端和所述第二辅助放大器的一端相连接并作为所述放大电路的输出端;
所述主放大器用于对所述放大电路的输入端输入的信号进行第一级放大并输出第一放大信号,所述第一辅助放大器用于对所述第一放大信号进行第二级放大并输出第二放大信号,第二辅助放大器用于对所述第一放大信号进行第二级放大并输出第三放大信号,所述第一放大信号、所述第二放大信号和所述第三放大信号叠加后的信号为所述放大电路的输出端输出的信号;
其中,所述第一辅助放大器的第一输出端和所述第二辅助放大器的第一输出端相连接并作为所述放大电路的第一输出端,所述第一辅助放大器的第二输出端和所述第二辅助放大器的第二输出端相连接并作为所述放大电路的第二输出端;
所述共模反馈电路用于抑制所述放大电路的第一输出端和所述放大电路的第二输出端的输出信号中的直流电压偏移,所述第三辅助电路用于驱动所述主放大器正常工作;
所述共模反馈电路包括第七MOS管(07)、第八MOS管(08)以及第一隔离电路和第二隔离电路,所述第一隔离电路包括第九MOS管(09)、第十MOS管(10)、第一直流源、第二直流源,所述第二隔离电路包括第十一MOS管(11)、第十二MOS管(12)、第三直流源、第四直流源;
所述第七MOS管(07)和所述第八MOS管(08)的漏极同时与所述第三辅助电路一端相连接,所述第七MOS管(07)和所述第八MOS管(08)的源极同时接入正电源VDD,所述第七MOS管(07)的栅极与所述放大电路的第一输出端相连接,所述第八MOS管(08)的栅极与所述放大电路的第二输出端相连接,所述第三辅助电路的另一端与所述主放大器的一端相连接;
所述第一直流源的输入端和所述第十MOS管(10)的漏极同时接入正电源VDD,所述第一直流源的输出端与所述第九MOS管(09)的源极相连接,所述第九MOS管(09)的栅极与所述放大电路的第一输出端相连接,所述第九MOS管(09)的漏极与所述第二直流源的输出端同时接入负电源VSS,所述第二直流源的输入端和所述第十MOS管(10)的源极同时与所述第七MOS管(07)的栅极相连接,所述第十MOS管(10)的栅极与所述第九MOS管(09)的源极相连接;
所述第三直流源的输入端和所述第十二MOS管(12)的漏极同时接入所述正电源VDD,所述第三直流源的输出端与所述第十一MOS管(11)的源极相连接,所述第十一MOS管(11)的栅极与所述放大电路的第二输出端相连接,所述第十一MOS管(11)的漏极与所述第四直流源的输出端同时接所述负电源VSS,所述第四直流源的输入端和所述第十二MOS管(12)的源极同时与所述第八MOS管(08)的栅极相连接,所述第十二MOS管(12)的栅极与所述第十一MOS管(11)的源极相连接。
2.根据权利要求1所述的放大电路,其特征在于,所述放大电路的输入端输入的信号包括第一信号和第二信号,所述放大电路还包括:第一辅助电路、第二辅助电路;
所述主放大器的第一输入端作为所述放大电路的第一输入端接入所述第一信号,所述主放大器的第二输入端作为所述放大电路的第二输入端接入所述第二信号,所述主放大器的第一输出端与所述第一辅助放大器的第一输入端和所述第一辅助电路的一端相连接,所述主放大器的第二输出端与所述第一辅助放大器的第二输入端和所述第一辅助电路的另一端相连接;
所述第二辅助放大器的第一输入端与所述第二辅助电路的一端相连接,所述第二辅助放大器的第二输入端与所述第二辅助电路的另一端相连接;
所述第一辅助电路的一端接入第二偏置电压,所述第一辅助电路的另一端接入负电源VSS,所述第二辅助电路的一端接入正电源VDD,所述第二辅助电路的另一端接入第一偏置电压,所述第一辅助电路和所述第二辅助电路共同用于驱动所述第一辅助放大器和所述第二辅助放大器正常工作。
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