[实用新型]一种像素排布结构及相关装置有效
申请号: | 201820003508.0 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN207966982U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 邱海军;汪杨鹏;王本莲;尹海军;王杨;胡耀;代伟男 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 虚拟 像素排布结构 中心位置处 顶角位置 显示器件 相关装置 本实用新型 凹多边形 侧边中心 工艺条件 紧密排列 驱动电流 顺次相连 相邻像素 像素开口 分辨率 位置处 顶角 减小 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括:位置互不重叠的第一子像素,第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的四个顶角位置处;
所述第二子像素位于所述第一虚拟矩形的侧边中心位置处;
所述第三子像素位于第二虚拟矩形内,所述第二虚拟矩形由位于所述第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个所述第二子像素、与该两个所述第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成,且四个所述第二虚拟矩形构成一个所述第一虚拟矩形;
所述第三子像素的形状为凹多边形或包括曲线的图形。
2.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素的形状为凹四边形,且至少一个侧边为内凹的曲线或折线。
3.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素的形状包括:四个侧边均为内凹的四边形,或相对的两个侧边为内凹且另两个侧边为外凸的四边形的至少一种。
4.如权利要求3所述的像素排布结构,其特征在于,所述四个侧边均为内凹的四边形中,至少一个内凹侧边为曲线或折线;
所述相对的两个侧边为内凹且另两个侧边为外凸的四边形中,至少一个内凹侧边为曲线或折线,且至少一个外凸侧边为曲线或折线。
5.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素与相邻的所述第一子像素相对的侧边之间的最小距离大于或等于工艺极限距离,所述第三子像素与相邻的所述第二子像素相对的侧边之间的最小距离大于或等于工艺极限距离。
6.如权利要求5所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素与相邻所述第一子像素相对的侧边之间的最大距离和最小距离的比值范围为1~1.5;
所述第三子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边之间的最大距离和最小距离的比值范围为1~1.5。
7.如权利要求6所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素与相邻所述第一子像素相对的侧边相互平行;和/或,所述第三子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边相互平行。
8.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素位于相邻两个所述第一子像素的连线和相邻两个所述第二子像素的连线的交点位置处。
9.如权利要求8所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素的形状均相同;或,
位于所述第一虚拟矩形的一条对角线方向上的两个所述第三子像素的形状相同,位于所述第一虚拟矩形的另一条对角线方向上的两个所述第三子像素的形状相同,位于所述第一虚拟矩形不同对角线方向的所述第三子像素的形状不同。
10.如权利要求8所述的像素排布结构,其特征在于,构成所述第一虚拟矩形的四个所述第二虚拟矩形中的四个所述第三子像素呈“X”状分布。
11.如权利要求1-10任一项所述的像素排布结构,其特征在于,至少有两个所述第一子像素的形状不一致,或,各所述第一子像素的形状一致;
至少有两个所述第二子像素的形状不一致,或,各所述第二子像素的形状一致。
12.如权利要求1-10任一项所述的像素排布结构,其特征在于,至少有两个所述第一子像素的面积不相同,或,各所述第一子像素的面积相同;
至少有两个所述第二子像素的面积不相同,或,各所述第二子像素的面积相同。
13.如权利要求1-10任一项所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素为蓝色子像素;或,所述第一子像素为蓝色子像素,所述第二子像素为红色子像素;
所述第三子像素为绿色子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的