[实用新型]一种像素排布结构及相关装置有效
申请号: | 201820003548.5 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN207966983U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 汪杨鹏;王本莲;王杨;尹海军;邱海军;胡耀;代伟男 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素排布结构 虚拟 侧边中心 显示器件 相关装置 位置处 本实用新型 中心位置处 顶角位置 工艺条件 紧密排列 驱动电流 顺次相连 像素排布 形状一致 顶角 | ||
本实用新型公开了一种像素排布结构及相关装置,其中在像素排布结构中:第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处四个顶角位置处;第二子像素位于第一虚拟矩形的侧边中心位置处;第三子像素位于第二虚拟矩形内,各第三子像素的形状一致。第二虚拟矩形由位于第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个第二子像素、与该两个第二子像素均相邻的第一子像素作为顶角顺次相连形成。这种像素排布方式与现有的像素排布结构相比,在同等工艺条件下可以使第一子像素、第二子像素和第三子像素紧密排列,从而在满足最小的子像素间隔的条件下,尽可能增大单个子像素的面积,进而降低显示器件的驱动电流,增加显示器件的寿命。
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种像素排布结构、有机电致发光显示面板、高精度金属掩模板及显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED显示器件具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等平板显示领域,OLED显示器件已经开始取代传统的液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)。
OLED显示器件的结构主要包括:衬底基板,制作在衬底基板上呈矩阵排列的子像素。其中,各子像素一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜板,在阵列基板上的相应的子像素位置形成有机电致发光结构。
但是,目前OLED显示器件内,像素排布结构中子像素开口面积较小,从而需要增大驱动电流才能满足显示的亮度要求。但是OLED在大的驱动电流下工作容易导致器件老化速度增快,从而缩短OLED显示器件的寿命。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种像素排布结构、有机电致发光显示面板高精度金属掩模板及显示装置,用以解决现有OLED器件中存在的像素之间的距离较大的问题。
因此,本实用新型实施例提供了一种像素排布结构,包括:位置互不重叠的第一子像素,第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的四个顶角位置处;
所述第二子像素位于所述第一虚拟矩形的侧边中心位置处;
所述第三子像素位于第二虚拟矩形内,所述第二虚拟矩形由位于所述第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个所述第二子像素、与该两个第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成,且四个所述第二虚拟矩形构成一个所述第一虚拟矩形;
各所述第三子像素的形状一致。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,各所述第三子像素的面积相同,或至少有两个所述第三子像素的面积不相同。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素与相邻的所述第一子像素相对的侧边之间的最小距离大于或等于工艺极限距离,所述第三子像素与相邻的所述第二子像素相对的侧边之间的最小距离大于或等于工艺极限距离。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素与相邻的所述第一子像素相对的侧边的最大距离与最小距离的比值范围为1~1.5;
所述第三子像素与相邻的所述第二子像素相对的侧边的最大距离与最小距离的比值范围为1~1.5。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素与相邻所述第一子像素相对的侧边相互平行;
所述第三子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边相互平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的