[实用新型]一种像素排布结构及相关装置有效
申请号: | 201820003566.3 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN207966984U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 李彦松;吴海东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 显示器件 减小 像素排布结构 凹多边形 相关装置 开口率 本实用新型 相邻子像素 工艺条件 紧密排列 亮度衰减 驱动电流 凸多边形 衰减 环绕 开口 平衡 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括:在行方向和列方向均交替排列的多个第一重复单元和多个第二重复单元;
所述第一重复单元包括一个第一子像素和一个第二子像素,所述第二重复单元包括一个第三子像素和一个所述第二子像素;
所述第二子像素呈矩阵式均匀分布,且每四个所述第二子像素环绕一个所述第一子像素或一个所述第三子像素;
至少部分所述第一子像素的形状为凹多边形,至少部分所述第三子像素的形状为凸多边形。
2.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述凸多边形包含基准图形和凸出于所述基准图形的凸出图形;所述凹多边形为所述基准图形缺失至少一个内凹图形后的图形;其中,
所述凸出图形和所述内凹图形为相似图形。
3.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素相对于所述行方向和所述列方向的延长线均为非对称形状;至少形状为凹多边形的所述第一子像素相对于所述行方向和所述列方向的延长线均为非对称形状;所述第二子像素相对于所述行方向和所述列方向的长线均为非对称形状。
4.如权利要求3所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素为轴对称图形,所述第三子像素的对称轴方向为行方向顺时针旋转45°的方向;所述第一子像素为轴对称图形,所述第三子像素的对称轴方向为行方向顺时针旋转45°的方向;所述第二子像素为轴对称图形,所述第三子像素的对称轴方向为行方向顺时针旋转45°的方向。
5.如权利要求4所述的像素排布结构,其特征在于,全部所述第三子像素的形状为相同的凸多边形;和/或,全部所述第一子像素的形状为凹多边形。
6.如权利要求5所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素和所述第一子像素的形状构成互补图案。
7.如权利要求4所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素包括:第一类子像素和第二类子像素,所述第一类子像素与所述第二类子像素的形状不同,且所述第一类子像素的面积大于所述第二类子像素的面积。
8.如权利要求7所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一类子像素的形状为所述基准图形,所述第二类子像素的形状为所述基准图形缺失相对的两个所述内凹图形后的图形。
9.如权利要求7所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一类子像素和所述第二类子像素分别在行方向和列方向排列,所述第一类子像素行和所述第二类子像素行交替排列,且所述第一类子像素列和所述第二类子像素列交替排列。
10.如权利要求5-9任一项所述的像素排布结构,其特征在于,所述第二子像素包括:第三类子像素和第四类子像素,所述第三类子像素与所述第四类子像素的形状不同,且所述第三类子像素的面积大于所述第四类子像素的面积。
11.如权利要求10所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三类子像素和所述第四类子像素在行方向和列方向均交替排列。
12.如权利要求10所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三类子像素的形状与所述第三子像素的形状一致;和/或,所述第四类子像素的形状与各所述第一子像素的形状一致。
13.如权利要求12所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素和第三类子像素的形状为凸五边形,所述凸五边形的两个内角为90°,另三个内角大于90°;
所述第一子像素和所述第四类子像素的形状为凹五边形,所述凹五边形的两个内角为90°,一个内角大于180°,另两个内角为锐角;
所述凸五边形和所述凹五边形的对称轴为竖直方向逆时针旋转45°方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的