[实用新型]一种像素排布结构及相关装置有效
申请号: | 201820003576.7 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN207966985U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 王杨;汪杨鹏;王本莲;尹海军;邱海军;胡耀;代伟男 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素排布结构 虚拟 显示器件 相关装置 本实用新型 对角线方向 中心位置处 侧边中心 顶角位置 工艺条件 紧密排列 驱动电流 像素排布 不对称 位置处 侧边 顶角 | ||
本实用新型公开了一种像素排布结构及相关装置,其中在像素排布结构中:第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处和四个顶角位置处;第二子像素位于第一虚拟矩形的侧边中心位置处;第三子像素位于第二虚拟矩形内,且第三子像素至少在其所在的第二虚拟矩形的其中一条对角线方向上不对称;其中第二虚拟矩形由位于第一虚拟矩形相邻两个侧边的两个第二子像素和其相邻的两个第一子像素作为顶角形成。该像素排布方式与现有的像素排布结构相比,在同等工艺条件下可以使第一子像素、第二子像素和第三子像素紧密排列,从而在满足最小的子像素间隔的条件下,尽可能增大单个子像素的面积,进而降低显示器件的驱动电流,增加显示器件的寿命。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素排布结构、有机电致发光显示面板、高精度金属掩模板及显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED显示器件具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等平板显示领域,OLED显示器件已经开始取代传统的液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)。
OLED显示器件的结构主要包括:衬底基板,制作在衬底基板上呈矩阵排列的子像素。其中,各子像素一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜板,在阵列基板上的相应的子像素位置形成有机电致发光结构。但是,目前OLED显示器件内,像素排布结构中子像素开口面积较小,从而需要增大驱动电流才能满足显示的亮度要求。但是OLED在大的驱动电流下工作容易导致器件老化速度增快,从而缩短OLED显示器件的寿命。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种像素排布结构、有机电致发光显示面板、高精度金属掩模板及显示装置,用以解决现有OLED器件中存在的子像素之间的距离较大的问题。
因此,本实用新型实施例提供了一种像素排布结构,包括:位置互不重叠的第一子像素,第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素位于第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的四个顶角位置处;
所述第二子像素位于所述第一虚拟矩形的侧边中心位置处;
所述第三子像素位于第二虚拟矩形内,所述第二虚拟矩形由位于所述第一虚拟矩形相邻两个侧边中心位置处的两个所述第二子像素、与该两个第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟矩形的中心位置处和所述第一虚拟矩形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成,且四个所述第二虚拟矩形构成一个所述第一虚拟矩形;
所述第三子像素至少在其所在的所述第二虚拟矩形的其中一条对角线方向上不对称。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素为轴对称图形,且在垂直其对称轴的方向上所述第三子像素不对称。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素的对称轴平行于所述第二虚拟矩形的其中一个对角线方向。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素的形状呈长条状,且所述长条的延伸方向指向与所述第三子像素相邻的所述第一子像素。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,构成所述第一虚拟矩形的四个所述第二虚拟矩形中的所述第三子像素呈“X”状分布。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述长条的两端的形状不一致。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述长条的一端呈圆弧形,另一端呈多边形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的