[实用新型]用于高压功率器件的散热装置及功率模块有效
申请号: | 201820006113.6 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN207664042U | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 沈国桥;郑群波;王新星;章进法 | 申请(专利权)人: | 台达电子企业管理(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/32;H01L25/07 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;李岩 |
地址: | 201209 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷基片 高压功率器件 基板 散热装置 抵压部 弹片 绝缘导热层 功率模块 本实用新型 导热能力 功率器件 一端连接 锁固 压紧 装设 绝缘 | ||
本实用新型公开了一种用于高压功率器件的散热装置及功率模块,散热装置包含:基板、绝缘导热层、陶瓷基片及弹片;陶瓷基片装设于基板上,功率器件设置于陶瓷基片上;弹片将高压功率器件固定于陶瓷基片上;弹片包含:连接部及抵压部;连接部锁固于基板上;抵压部的一端连接于连接部,抵压部的另一端压紧高压功率器件于陶瓷基片上;绝缘导热层设置于基板与陶瓷基片之间及陶瓷基片与高压功率器件之间,进而提高高压功率器件、陶瓷基片及基板之间的导热能力,以及提供三者之间的绝缘。
技术领域
本实用新型涉及高压功率模块的绝缘和导热的技术领域,尤其是涉及一种用于高压功率器件的散热装置及功率模块。
背景技术
随着高铁、地铁和城际铁路等铁路行业的高速发展,客户对功率器件的使用也提出更高的要求,例如要求功率器件的额定电压达到1000V,那么其对应的高压绝缘需要达到5.6kV/min,远高于普通模块的绝缘耐压要求。此外高压场合中,功率器件包括MOSFET、IGBT、SIC、DIODE器件等,并且单个功率器件的功耗非常高,需要及时有效的将热导出;同时由于电源产品需要满足IP5X的标准,没有办法对高压功率模块的散热器进行直接风冷散热,因此急需开发一种具有高导热及高绝缘的散热装置。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种用于高压功率器件的散热装置,其中,包含:
基板;
陶瓷基片,装设于所述基板上,所述高压功率器件装设于所述陶瓷基片上;
绝缘导热层,设置于所述基板与所述陶瓷基片之间及所述陶瓷基片与所述高压功率器件之间;
弹片,所述弹片包含:
连接部,锁固于所述基板上;
抵压部,其一端连接于所述连接部,所述抵压部的另一端压紧所述高
压功率器件于所述陶瓷基片上。
上述的散热装置,其中,所述绝缘导热层的体积电阻率为1012ohm·cm以上。
上述的散热装置,其中,包含第一热缩管,包覆于所述弹片的抵压部。
上述的散热装置,其中,还包含第二热缩管,包覆于所述第一热缩管。
上述的散热装置,其中,所述弹片为Z型弹片,所述抵压部呈L形。
上述的散热装置,其中,装设于所述陶瓷基片上的所述高压功率器件的边缘与所述陶瓷基片的边缘具有第一绝缘间隔。
上述的散热装置,其中,所述第一绝缘间隔不小于10mm。
上述的散热装置,其中,装设于所述陶瓷基片上的所述高压功率器件的管脚与所述陶瓷基片的边缘具有第二绝缘间隔。
上述的散热装置,其中,所述第二绝缘间隔不小于7mm。
本实用新型还提供一种功率模块,其中,包含:
至少一高压功率器件;及
上述中任一项所述的散热装置,所述至少一高压功率器件装设于所述散热装置上。
上述的功率模块,其中,所述高压功率器件为MOSFET、IGBT、SIC、DIODE中的至少一者。
本实用新型针对于现有技术其功效在于:通过本实用新型的散热装置提高高压功率器件的耐压,降低了高压功率器件之间的爬电距离,提高了高压功率器件的导热性能,降低了产品的整体尺寸,提高了产品功率密度。
附图说明
图1是本实用新型功率模块第一实施例未安装热缩管的结构示意图;
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