[实用新型]等离子体增强化学气相沉积装置

说明书

本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括清洁室、设于清洁室后侧且能与清洁室对接的沉积室及设于清洁室与所述沉积室之间的密封机构，清洁室及沉积室的真空排气口均通过歧管与真空泵连接，歧管与清洁室连接的支路上设有第一真空阀。本实用新型提供的等离子体增强化学气相沉积装置将沉积室的内腔与清洁室的内腔之间设置密封机构，将对沉积室的内腔及对清洁室的内腔进行抽真空的管路设置成歧管，在歧管支路上设置第一真空阀，在需要更换清洁组件时，只需将密封机构关闭，再将第一真空阀关闭，即可单独对清洁室的内腔进行增压后开启的操作，这样能使更换清洁组件的时间缩短到3小时左右，提高更换效率，进而提高整体的生产效率。

技术领域

本实用新型属于真空镀膜技术领域，更具体地说，是涉及一种等离子体增强化学气相沉积装置。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积。这种方法对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。在现有的PECVD工艺一般是先将基体用等离子源清洁表面，再进行薄膜的沉积，现有的PECVD设备中，有一些是将清洁装置与沉积装置分开设置，使用时先将基体在清洁室内清洁，随后从清洁室中拿出，再放入沉积室中，这种方法使得设备整体占用空间大，基体周转步骤多，工作效率也得不到提高；还有一些是将清洁室与沉积室一体化设置，清洁组件与沉积组件公用一个腔体，但是在更换清洁组件时，往往需要先将沉积组件先冷却下来，再向腔体内部增压到常压状态后开启腔体进行更换，整个更换时间耗时10-12个小时，影响生产效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种等离子体增强化学气相沉积装置，旨在解决现有技术中存在的清洁室与沉积室一体化设置的PECVD设备中更换清洁组件耗时长的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括：清洁室、设于所述清洁室后侧且能与所述清洁室对接的沉积室及设于所述清洁室与所述沉积室之间的密封机构，所述清洁室及所述沉积室的真空排气口均通过歧管与真空泵连接，所述歧管与所述清洁室连接的支路上设有第一真空阀。

进一步地，所述歧管与所述沉积室连接的支路上还设有第二真空阀。

进一步地，所述清洁室与所述沉积室之间为可拆卸连接。

进一步地，所述密封机构为第一密封门。

进一步地，所述沉积室包括第一壳体、导向固定结构及设于所述第一壳体内部的沉积组件，所述第一壳体向前侧开口，所述第一密封门设于所述第一壳体前侧的开口处，且所述第一密封门能与所述第一壳体的内壁密封连接，所述第一壳体的前端外周设有用于对所述清洁室进行导向并固接所述清洁室的所述导向固定结构。

进一步地，所述导向固定结构包括设于所述第一壳体前端外周的环状的第一连接板及设于所述第一连接板前侧的环状的导向板，所述第一连接板的板面垂直于所述第一壳体的外壁，所述第一连接板上设有第一连接孔，所述导向板的板面垂直于所述第一连接板的板面，且所述导向板的内径大于所述第一壳体开口处的内径，所述导向板上设有若干围绕所述导向板的中轴分布的导向槽。

进一步地，所述导向槽的前部对称的设有两个导向斜面。