[实用新型]功率放大模块有效
| 申请号： | 201820012232.2 | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN207910737U | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 石原翔太;山本靖久 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/30;H03F1/56;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大模块 双极性晶体管 场效应晶体管 功率放大电路 动作电压 低电压 控制IC 本实用新型 功率放大 偏置电路 偏置信号 输出放大 阈值电压 | ||
1.一种功率放大模块，具备功率放大电路和控制IC，其中，
所述功率放大电路具备：双极性晶体管，将RF信号进行功率放大并输出放大信号；以及二极管连接双极性晶体管，与所述双极性晶体管热耦合，
所述控制IC具备场效应晶体管和二极管连接场效应晶体管，
在所述场效应晶体管中，漏极端子与电池电压连接，将输入到所述场效应晶体管的栅极端子的偏置信号从所述场效应晶体管的源极端子通过第一导线供给到所述双极性晶体管，
所述二极管连接双极性晶体管的阴极被接地，
所述二极管连接双极性晶体管的阳极通过第二导线而与所述二极管连接场效应晶体管的阴极连接，
所述二极管连接场效应晶体管的阳极与所述场效应晶体管的栅极端子连接。
2.根据权利要求1所述的功率放大模块，其中，
所述二极管连接双极性晶体管的阴极在所述功率放大电路的内部被接地。
3.一种功率放大模块，具备功率放大电路和控制IC，其中，
所述功率放大电路具备：双极性晶体管，将RF信号进行功率放大并输出放大信号；以及二极管连接双极性晶体管，与所述双极性晶体管热耦合，
所述控制IC具备场效应晶体管和二极管连接场效应晶体管，
在所述场效应晶体管中，漏极端子与电池电压连接，将输入到所述场效应晶体管的栅极端子的偏置信号从所述场效应晶体管的源极端子通过第一导线供给到所述双极性晶体管，
所述二极管连接场效应晶体管的阴极被接地，
所述二极管连接场效应晶体管的阳极通过第二导线而与所述二极管连接双极性晶体管的阴极连接，
所述二极管连接双极性晶体管的阳极通过第三导线而与所述场效应晶体管的栅极端子连接。
4.根据权利要求1或3所述的功率放大模块，其中，
所述二极管连接场效应晶体管与所述场效应晶体管热耦合。
5.根据权利要求1或3所述的功率放大模块，其中，
所述功率放大电路具备第一二极管来代替所述二极管连接双极性晶体管，
所述控制IC具备第二二极管来代替所述二极管连接场效应晶体管。
6.根据权利要求3所述的功率放大模块，其中，
所述二极管连接场效应晶体管的阴极在所述控制IC的内部被接地。
7.根据权利要求5所述的功率放大模块，其中，
所述第一二极管的阴极在所述功率放大电路的内部被接地。
8.根据权利要求5所述的功率放大模块，其中，
所述第二二极管的阴极在所述控制IC的内部被接地。
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