[实用新型]一种低噪声微波放大器电路

权利要求书

1.一种低噪声微波放大器电路，包括使能控制输入端口(1)、射频输入端口(2)、射频输出端口(3)、一号直流电源端口(4)、低噪声微波放大器电路(5)、门限判决电路(6)和偏置输出电路(7)，所述门限判决电路(6)包括二号直流电源端口(61)、使能信号输入端口(62)和输出端口(63)，其特征在于：所述偏置输出电路(7)包括偏置电路的输出端口(71)、偏置电路的输入端口(72)、一号N型场效应晶体管(73)和一号电阻器(74)，所述一号N型场效应晶体管(73)包括一号N型场效应晶体管的栅极端(731)，一号N型场效应晶体管的源极端(732)和一号N型场效应晶体管的漏极端(733)，所述偏置电路的输入端口(72)一端与输出端口(63)相连接，另一端与一号N型场效应晶体管的栅极端(731)相连接，所述一号N型场效应晶体管的源极端(732)与一号电阻器(74)的一端相连接，所述一号电阻器(74)的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种低噪声微波放大器电路，其特征在于：所述一号N型场效应晶体管的漏极端(733)与一号N型场效应晶体管的栅极端(731)相连接。

3.根据权利要求1所述的一种低噪声微波放大器电路，其特征在于：所述一号N型场效应晶体管的漏极端(733)与二号直流电源端口(61)相连接。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的一种低噪声微波放大器电路，其特征在于：所述低噪声微波放大器电路(5)包括二号N型场效应晶体管(51)、第一电感器(52)、第二电感器(53)、第三电感器(54)、输出电容器(55)、输入电容器(56)和偏置电阻器(57)，所述二号N型场效应晶体管(51)包括二号N型场效应晶体管的源极端(511)、二号N型场效应晶体管的漏极端(512)和二号N型场效应晶体管的栅极端(513)，所述输入电容器(56)一端与射频输入端口(2)相连接，另一端与第一电感器(52)相连接，所述第一电感器(52)的另一端与二号N型场效应晶体管的栅极端(513)相连接，所述偏置电阻器(57)的一端并联接在第一电感器(52)和输入电容器(56)之间，所述偏置电阻器(57)的另一端与偏置电路的输出端口(71)相连接，所述第二电感器(53)的一端与二号N型场效应晶体管的源极端(511)相连接，另一端接地，所述第三电感器(54)和输出电容器(55)并联接入到二号N型场效应晶体管的漏极端(512)上，所述第三电感器(54)的另一端与一号直流电源端口(4)相连接，所述输出电容器(55)的另一端与射频输出端口(3)相连接。

5.根据权利要求4所述的一种低噪声微波放大器电路，其特征在于：所述一号N型场效应晶体管(73)和二号N型场效应晶体管(51)的物理结构类型均为结型场效应晶体管，金属-氧化物半导体场效应晶体管，异质结场效应晶体管或其他场效应晶体管。

6.根据权利要求5所述的一种低噪声微波放大器电路，其特征在于：所述一号N型场效应晶体管(73)和二号N型场效应晶体管(51)的构成材料均为硅，锗，砷化镓，氮化镓，磷化铟，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体或者其他掺杂半导体材料中一种或者多种。

7.根据权利要求6所述的一种低噪声微波放大器电路，其特征在于：所述一号N型场效应晶体管(73)、二号N型场效应晶体管(51)、一号电阻器(74)和偏置电阻器(57)的实现形式均为分离式器件，单片集成电路，混合集成电路或者其他形式的电路。

8.根据权利要求7所述的一种低噪声微波放大器电路，其特征在于：所述输出电容器(55)和输入电容器(56)的构造均为片式多层陶瓷电容器，金属-绝缘层-金属电容或金属-氧化物-金属电容。

9.根据权利要求8所述的一种低噪声微波放大器电路，其特征在于：所述第一电感器(52)、第二电感器(53)和第三电感器(54)的实现形式均为片式叠层电感，片式绕线电感，片上集成电感，键合线电感或晶圆级重新布线电感。