[实用新型]有源电压箝位电路

说明书

本实用新型提供了一种有源电压箝位电路，包括：电源端和接地端；自启动电路，与所述自启动电路电连接的电流源产生电路和与所述电流源产生电路电连接的电压箝位核心电路；所述自启动电路包括：第一电容，所述第一电容的第一端与电源端电连接，所述第一电容的第二端分别与第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第一NMOS管的栅极分别与电流源产生电路的第三NMOS管的漏极和栅极，第四NMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极电连接。本实用新型所提供的有源电压箝位电路可实现精确的电压箝位，电路的工作电压以及环境温度对箝位电压值影响很小。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别涉及一种有源电压箝位电路。

背景技术

箝位电路广泛用于各种模拟集成电路和数模混合信号集成电路中。传统的箝位电路多采用齐纳二极管实现，传统的齐纳二极管箝位电路，有以下几个方面的缺陷：一旦工艺选定之后，齐纳管的反向击穿电压随即确定，亦即箝位电压固定，无法调节；存在齐纳噪声，不适用于低噪声应用；片上集成时，齐纳管的面积较大，需要额外的光刻板和工艺流程，增加了成本；齐纳管易受温度的影响，直接影响了箝位电压点的精度。

实用新型内容

本实用新型提供了一种有源电压箝位电路，其目的是为了解决传统的齐纳二极管箝位电路存在缺陷的问题。

为了达到上述目的，本实用新型的实施例提供了一种有源电压箝位电路，包括：

电源端和接地端；

自启动电路，与所述自启动电路电连接的电流源产生电路和与所述电流源产生电路电连接的电压箝位核心电路；

其中，所述自启动电路包括：

第一电容，所述第一电容的第一端与电源端电连接，所述第一电容的第二端分别与第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极电连接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第一NMOS管的栅极分别与电流源产生电路的第三NMOS管的漏极和栅极，第四NMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极电连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第二NMOS管的漏极分别与电流源产生电路的第一PMOS管的栅极，第二PMOS管的栅极和漏极，第四NMOS管的漏极和电压箝位核心电路的第五PMOS管的栅极电连接。

其中，所述电流源产生电路包括第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第四PMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管和第一电阻；其中，

所述第三NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第三NMOS管栅极分别与第四NMOS管的栅极，第三NMOS管的漏极，第一PMOS管的漏极电连接；

所述第四NMOS管的衬极所述接地端电连接，所述第四NMOS管的源极与第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；

所述第三PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第三PMOS管的衬极分别与所述电源端和第一PMOS管衬极电连接，所述第三PMOS管的漏极与第一PMOS管的源极电连接，所述第三PMOS管的栅极分别与第四PMOS管的栅极和漏极，第二PMOS管的源极，第六PMOS管的栅极和第七PMOS管的栅极电连接；

所述第四PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第四PMOS管的衬极分别与所述电源端和第二PMOS管的衬极电连接。

其中，所述电压箝位核心电路包括第五PMOS管，第六PMOS管，第七PMOS管，第八PMOS管，第五NMOS管，第六NMOS管，第七NMOS管，第八NMOS管，第九NMOS管，第二电阻，第二电容和第三电容；其中，