[实用新型]选择性掩膜

说明书

本实用新型提供一种选择性掩膜，包括有：一掩膜主体，和位于该掩膜主体上不同区域的第一掩膜区域和第二掩膜区域，其中，该第一掩膜区域设置有多条相互平行排列、且等宽度的第一狭缝，该第二掩膜区域设置有多条相互平行排列、且等宽度的第二狭缝，该第一狭缝和该第二狭缝的长度方向一致且数量一一对应，该第一狭缝与该第二狭缝之间的垂直距离小于等于50μm。在利用离子注入的工艺对硅片进行选择性掺杂时，仅需一张掩膜即可完成两个不同掺杂要求的区域的掺杂，且避免了现有技术中更换掩膜不可避免的对准工序。

技术领域

本实用新型涉及一种掩膜，特别涉及一种具有不同掩膜区域的选择性掩膜。

背景技术

在很多半导体掺杂结构的制作过程中，为了形成不同的掺杂区域，常常需要用到多张掩膜，来遮挡硅片上的不同区域，从而对暴露的区域进行不同的处理。但是在实际操作中，在对不同区域进行不同工艺的处理的过程中，采用两张以上掩膜必然会引入对准(alignment)的步骤，每次更换新的掩膜时必须保证掩膜和硅片的相对位置在允许的对准误差范围内，否则两次待处理的区域会有不理想的重叠或者不理想的分隔，最终影响掺杂结构每个区域的规划。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中采用多张掩膜来制作半导体掺杂结构过程中对于对准精度有着较高要求、操作不便的缺陷，提供一种具有不同掩膜区域的选择性掩膜，省去了每次更换掩膜都需要重新对准掩膜和硅片的步骤，操作简便。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种选择性掩膜，其特点在于，其包括有：一掩膜主体，和位于该掩膜主体上不同区域的第一掩膜区域和第二掩膜区域，其中，该第一掩膜区域设置有多条相互平行排列、且等宽度的第一狭缝，该第二掩膜区域设置有多条相互平行排列、且等宽度的第二狭缝，该第一狭缝和该第二狭缝的长度方向一致且数量一一对应，该第一狭缝与该第二狭缝之间的垂直距离小于等于50μm。

优选地，该掩膜主体为石墨片、陶瓷片、氧化硅、氧化铝、碳化硅或硅片。

优选地，该第一狭缝的宽度为50μm-1000μm，相邻第一狭缝之间的间距为100um-5mm。

优选地，该第二狭缝的宽度为50μm-1000μm，相邻第二狭缝之间的间距为100um-5mm。

本实用新型还提供一种选择性掩膜，其特点在于，其包括有：一掩膜主体，和位于该掩膜主体上不同区域的第一掩膜区域和第二掩膜区域，其中，该第一掩膜区域设置有多条相互平行排列、且等宽度的第一狭缝，该第二掩膜区域设置有多条相互平行排列、且等宽度的第二狭缝，该第一狭缝和该第二狭缝的长度方向一致且数量一一对应，在垂直第一狭缝的长度方向的方向上，第一狭缝和第二狭缝相互错开间隔平行排列。

优选地，在垂直于第一狭缝的长度方向的方向上，第一狭缝与相邻第二狭缝的最短距离为0.01μm-500μm。最短距离为相对应的一对第一狭缝和第二狭缝，最接近的一对边之间的垂直距离。例如在垂直于第一狭缝长度方向的方向上，一对相对应的第一狭缝和第二狭缝，第一狭缝位于第二狭缝上方，那么第一狭缝的下边缘和第二狭缝的上边缘之间的距离就是最短距离。

优选地，该掩膜主体为石墨片、陶瓷片、氧化硅、氧化铝、碳化硅或硅片。

优选地，该第一狭缝的宽度为50μm-1000μm，相邻第一狭缝之间的间距为100um-5mm，或者，

该第二狭缝的宽度为50μm-1000μm，相邻第二狭缝之间的间距为100um-5mm。

本实用新型的积极进步效果在于：在利用离子注入的工艺对硅片进行选择性掺杂时，仅需一张掩膜即可完成两个不同掺杂要求(不同的掺杂要求可以是：不同的掺杂类型或者相同掺杂离子的不同掺杂参数)的区域的掺杂，且避免了现有技术中更换掩膜不可避免的对准工序。

附图说明