[实用新型]一种半导体激光器温度功率特性测量装置有效
申请号: | 201820036798.9 | 申请日: | 2018-01-10 |
公开(公告)号: | CN208043674U | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 郑源明;曹正东 | 申请(专利权)人: | 上海复旦天欣科教仪器有限公司 |
主分类号: | G01N21/84 | 分类号: | G01N21/84;G01M11/02 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体激光器 本实用新型 温控系统 特性测量装置 激光功率计 温度传感器 工作电流 温度功率 电流源 样品室 制冷器 加热 物理参数测量装置 室内 输出光功率 测试效率 连续可调 温度信号 可显示 测量 | ||
本实用新型属于物理参数测量装置,具体涉及一种半导体激光器温度功率特性测量装置。本实用新型装置包括:加热/制冷器、温度传感器、温控系统、样品室、电流源、激光功率计;其中,温度传感器为温控系统提供样品室内的当前温度信号;温控系统可显示当前温度及设置目标温度,并控制加热/制冷器使样品室内温度上升或下降至目标温度;样品室容量足够大,以安装待测的半导体激光器;电流源为半导体激光器提供连续可调的工作电流;激光功率计用于测量与显示在不同温度及工作电流下半导体激光器的输出光功率。本实用新型结构简单,易于操作,测试效率高。
技术领域
本实用新型属于物理测量装置技术领域,具体涉及一种半导体激光器温度功率特性测量装置。
背景技术
半导体激光器由于具有体积小、效率高、寿命长和高速工作的优异特点,有着极其广泛的用途。半导体激光器的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,加上自身制造工艺的影响,造成了其输出光功率对温度的敏感性。因此,在一些对于环境温度及输出光功率有要求的实际应用场合下,对半导体激光器温度功率特性的先行测试就显得很有必要。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种在不同环境温度下测量半导体激光器输出光功率特性的装置。
本实用新型提供的半导体激光器温度功率特性测量装置,包括加热/制冷器2、温度传感器3、温控系统4、样品室5、电流源6和激光功率计7;其中,同温控系统4分别同加热/制冷器2和温度传感器3连接,加热/制冷器2和温度传感器3均设置于样品室5内;样品室5内安装待测的半导体激光器,样品室5侧壁上设有一个能让激光光束通过的开孔,激光功率计7的探头对着开孔;电流源6同待测的半导体激光器连接供电。
本实用新型中,温度传感器3为温控系统4提供样品室5内的当前温度信号;温控系统4显示当前温度及设置目标温度,并控制加热/制冷器2使样品室的温度上升或下降至目标温度;电流源6为待测的半导体激光器提供连续可调的工作电流;激光功率计7用于测量与显示在不同温度及工作电流下半导体激光器的输出光功率。
本实用新型测量时,将待测的半导体激光器安装于样品室内,并与电流源相连接。在温控系统中设置目标温度,令加热/制冷器开始工作。待样品室内温度上升或下降到目标温度后,开启并调节电流源,为待测的半导体激光器提供工作电流,利用激光功率计测量在设定环境温度与设定工作电流下的输出光功率,从而得到待测半导体激光器的温度功率特性。
本实用新型结构简单,易于操作,测试效率高。
附图说明
图1是本实用新型的结构图示。
图中标号:1为待测的半导体激光器,2为加热/制冷器,3为温度传感器,4为温控系统,5为样品室,6为电流源,7为激光功率计。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
在图1中,温度传感器3固定于样品室5内,感知样品室5内部的温度,通过数据线将温度信号传输至温控系统4并可实时显示。在温控系统4上可设置待测的目标温度,而样品室5的壁内安装有加热/制冷器2,加热/制冷器2的工作由温控系统4根据目标温度与当前温度的差值控制加热/制冷器2对样品室5进行升温、降温或保温。待测的半导体激光器1亦安装在样品室5中,与温度传感器3处于相同的温度环境中。电流源6通过导线为待测的半导体激光器1提供不大于额定工作电流的电源。待测的半导体激光器1发射的光束通过样品室5上的开口照射至激光功率计7的探头,其光功率的大小由激光功率计7测量并显示。测量待测的半导体激光器1的温度功率特性时,可将电流源6提供的电流调整为某一定值,利用温控系统4改变样品室5的温度,从而得到在恒定工作电流下待测的半导体激光器1的环境温度与其输出光功率的关系;亦可利用温控系统4使样品室5保持在某一恒定的温度,调节电流源6提供的工作电流,从而得到在恒定环境温度下待测的半导体激光器1的工作电流与其输出光功率的关系。
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