[实用新型]用于WI-FI模块的射频功率放大器

说明书

本实用新型揭露了一种用于WI‑FI模块中的射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、第一级间匹配电路、第二级射频功率放大结构、第二级间匹配电路、第三级射频功率放大结构和输出匹配电路。本实用新型中的用于WI‑FI模块的射频功率放大器位于一块芯片上，无需采用SMD电容电感，也不需要采用基板进行封装，设计简单，降低了成本。

【技术领域】

本实用新型涉及射频电路领域，特别涉及用于WI-FI模块的射频功率放大器。

【背景技术】

近年来，无线局域网(WLAN)的应用一直是数据通信领域发展最快的领域之一，路由器更是扮演非常重要的角色，而WI-FI(Wireless Fidelity)模块的射频功率放大器则是路由器中的关键器件之一。

现有的5.1～5.8GHz单频段4mm*4mm功率放大器模块的典型设计是：一颗砷化镓芯片提供功率放大器所需要的射频功率；一颗CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor)芯片提供给砷化镓芯片稳定的工作电压值以保证砷化镓晶体管的工作状态不受外界电压源波动的影响；砷化镓芯片和CMOS芯片放在一个基板上，基板上面在贴上SMD(Surface Mount Technology)电容电感；然后通过打金线的方式把他们连接在一起，最后通过LGA(Land Grid Array)的封装形式把他们封装在一起。

上述典型设计中需要用到0201或者01005的SMD电容电感和基板。SMD电容电感的作用是射频匹配、电容滤波和射频隔直：射频匹配包括输入匹配，级间匹配和输出匹配；电容滤波主要是对电源上的低频进行滤波以保证射频功率放大器工作在稳定的状态下；射频隔直电容保证射频信号能够通过该通路而直流不能通过。同时采用SMD的设计必须要引入基板进行封装。

现有技术中的采用SMD电容电感和基板的设计方案封装成本高、设计复杂。因此，有必要提出一种改进的方案来克服上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种用于WI-FI模块的射频功率放大器，其采用无基板和无SMD电容电感的设计方案，可以节省封装成本。

为实现本实用新型的目的，本实用新型提供一种用于WI-FI模块中的射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、第一级间匹配电路、第二级射频功率放大结构、第二级间匹配电路、第三级射频功率放大结构和输出匹配电路，其中第一级射频功率放大结构包括第一射频功率放大晶体管和第一偏置电路，第一偏置电路给第一射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第二级射频功率放大结构包括第二射频功率放大晶体管和第二偏置电路，第二偏置电路给第二射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第三级射频功率放大结构包括第三射频功率放大晶体管和第三偏置电路，第三偏置电路给第三射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，输入匹配电路包括耦接于射频输入端和第一射频功率放大晶体管的基极之间的电感L3和电容C3，第一级间匹配电路包括耦接于电源端和第一射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和第二射频功率放大晶体管的基极之间的电容C4和电容C5，耦接于电容C4和电容C5的中间节点和接地端之间的电感L4，第二级间匹配电路包括耦接于电源端和第二射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC2、依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和第三射频功率放大晶体管的基极之间的电容C6、电容C7和电容C8、耦接于电容C6和电容C7的中间节点和接地端之间的电感L5和耦接于电容C7和电容C8的中间节点和接地端之间的电感L6，输出匹配电路包括耦接于电源端和第三射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC3、依次耦接于第三射频功率放大晶体管的集电极和射频输出端之间的电感L8和电容C11，耦接于电感L8和电容C11的中间节点和接地端之间的电容C10和耦接于射频输出端和接地端之间的电感L9。