[实用新型]OLED单元、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201820040989.2 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN207781602U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 唐国强;徐映嵩 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底基板 红光发光层 近红外发光 第一电极 显示面板 阻隔层 本实用新型 第二电极 显示装置 导电材料 极性相反 近红外光 制造成本 制造过程 发射 红光 | ||
1.一种OLED单元，其特征在于，所述OLED单元包括：
设置在衬底基板上的第一电极层；
设置在所述第一电极层远离所述衬底基板一侧的近红外发光层，所述近红外发光层用于发射近红外光；
设置在所述近红外发光层远离所述衬底基板一侧的阻隔层，所述阻隔层由导电材料制成；
设置在所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的红光发光层，所述红光发光层用于发射红光；
设置在所述红光发光层远离所述衬底基板一侧的第二电极层，所述第二电极层的极性与所述第一电极层的极性相反。
2.根据权利要求1所述的OLED单元，其特征在于，所述第一电极层为阳极，所述第二电极层为阴极。
3.根据权利要求1或2所述的OLED单元，其特征在于，所述红光发光层的厚度大于所述近红外发光层的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的OLED单元，其特征在于，所述近红外发光层在所述衬底基板上的正投影与所述红光发光层在所述衬底基板上的正投影重合。
5.根据权利要求1或2所述的OLED单元，其特征在于，所述阻隔层由透明导电材料制成。
6.根据权利要求1或2所述的OLED单元，其特征在于，所述阻隔层由PN结材料制成。
7.根据权利要求1或2所述的OLED单元，其特征在于，所述近红外发光层包括：第一空穴传输层、近红外电致发光膜层和第一电子传输层；
所述红光发光层包括：第二空穴传输层、红光电致发光膜层和第二电子传输层。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至7任一所述的OLED单元。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：与所述OLED单元一一对应设置的光电转换组件，以及设置在所述光电转换组件四周的挡墙，所述挡墙用于遮挡来自对应OLED单元以外的OLED单元的近红外光。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8或9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
