[实用新型]一种用于IGBT绝缘栅双极型晶体管的测试适配器有效
申请号: | 201820046122.8 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN207752106U | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 冯振平;杨行 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王刚 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接线 测试适配器 插口处 夹片 半导体分立器件 测试系统 磁环 绝缘栅双极型晶体管 本实用新型 插口 被测器件 测试效率 内侧边缘 分立 环孔 穿过 测试 | ||
本实用新型公开了一种用于IGBT绝缘栅双极型晶体管的测试适配器,包括插口和磁环,所述插口为三个且彼此分立,所述测试适配器的插口处内侧边缘分别设有两个夹片,一端插口处的两个夹片通过接线与半导体分立器件测试系统的B端连接,中间插口处的两个夹片通过接线与半导体分立器件测试系统的C端连接,另一端插口处的两个夹片通过接线与半导体分立器件测试系统的E端连接;每条接线上均设有磁环,所述每条接线分别从每个磁环的环孔穿过。本实用新型提供一种用于IGBT管的测试适配器,能够提高被测器件的测试效率以及测试精度。
技术领域
本实用新型涉及可靠性筛选及测试领域,特别是指一种用于IGBT绝缘栅双极型晶体管的测试适配器。
背景技术
IGBT管(绝缘栅双极型晶体管)是由MOS管(场效应管)和双极型达林顿管结合而成。普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作,但工作在高电压和大电流状态下,因为内阻较大,管子发热很快,难以长时间在高电压和大电流状态下工作。大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流的状态下长时间工作,但需要较大的驱动电流。因而将MOS管作为推动管,大功率达林顿管作为输出管,这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管,导致现在IGBT管的种类和数量不断增多。
目前,测试IGBT管都是用带引线的夹子与半导体分立器件测试系统相连,然后再用夹子夹住被测器件的管腿来进行测试,每个夹子有两根引线,分别将夹子上的两条引线与设备相接,夹子头与被测器件相接。这种测试方法不仅大大降低了工作效率,且人工测试过程测试误差大,不利于在批量生产中的应用。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种用于IGBT管的测试适配器,能够提高被测器件的测试效率以及测试精度。
基于上述目的本实用新型提供的一种用于IGBT绝缘栅双极型晶体管的测试适配器,其特征在于,包括插口和磁环,所述插口为三个且彼此分立,所述测试适配器的插口处内侧边缘分别设有两个夹片,一端插口处的两个夹片通过接线与半导体分立器件测试系统的B端连接,中间插口处的两个夹片通过接线与半导体分立器件测试系统的C端连接,另一端插口处的两个夹片通过接线与半导体分立器件测试系统的E端连接;每条接线上均设有磁环,所述每条接线分别从每个磁环的环孔穿过。
可选的,所述一端插口处的一个夹片连接半导体分立器件测试系统的BS端,所述一端插口处的另一个夹片连接半导体分立器件测试系统的BF端。
可选的,所述中间插口处的一个夹片连接半导体分立器件测试系统的CS端,所述中间插口处的另一个夹片连接半导体分立器件测试系统的CF端。
可选的,所述另一端插口处的一个夹片连接半导体分立器件测试系统的ES端,所述另一端插口处的另一个夹片连接半导体分立器件测试系统的EF端。
可选的,所述测试适配器与半导体分立器件测试系统采用开尔文连接。
可选的,所述夹片表面有镀金层。
从上面所述可以看出,本实用新型提供的一种用于IGBT管的测试适配器,利用半导体分立器件测试系统的测试平台及二极管的测试原理,将测试适配器的插口处分别设有上下两个夹片以及开尔文接法,根据被测器件的不同管脚分布及不同内部结构的需要进行改造,无需改变端口,结构方便灵活,使用时无需频繁的测试被测器件中的晶体管,实用性强。同时接线上连有磁环,以防被测器件在加电过程中被测器件本身产生自激现象。
本实用新型提供的测试适配器,能够一次性快速实现被测器件的全部参数的测试需求,并且提高了测试精度以及产品批生产过程中的测试效率。
附图说明
图1为IGBT管的内部结构示意图;
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