[实用新型]一种利用薄膜沉积技术制作的超薄线圈

说明书

本实用新型公开了一种利用薄膜沉积技术制作的超薄线圈，属于检测或产生电磁信号的超薄线圈制作技术，而利用该薄膜沉积技术制作的超薄线圈厚度可达微米量级，包括线径与线圈整体厚度都可在微米量级，其结构主要是由绝缘基底和导电薄膜等构成，具体是在绝缘基底表面沉积导电薄膜后逐层卷绕呈圆环状，该超薄线圈具有沿圆环状的轴向切割而成的矩形横截面，该矩形的横截面由在内的绝缘基底和在外的导电薄膜交替分布构成，且绝缘基底和导电薄膜的截面也为矩形，这种超薄线圈的矩形横截面与传统漆包线的圆形横截面截然不同，消除了传统圆形截面产生的空隙，线圈均匀性有较大提高，导电层与导电层之间可通过绝缘基底安全隔离，使用性能也更加卓越。

技术领域

本实用新型涉及一种用于检测电磁信号的超薄线圈组成结构，具体是指一种利用薄膜沉积技术制作的超薄线圈。

背景技术

近年来，随着电子器件的小型化与精密化，对小尺寸样品的电磁信号控制要求越来越高，而线圈是检测电磁信号的重要工具；通常状况来说，线圈主要通过绕制漆包线获得。然而，由于漆包线的线径、绕制技术等限制，常规的线圈厚度基本都在宏观尺度、即通常在毫米以上厚度，而当线圈厚度变小后，通过手工绕制线圈变的越来越困难，且电磁信号的测试准确度也很难控制。因此，精密设计与加工超薄线圈逐渐成为学术界与工业界的一个热点。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷而提供一种厚度为微米量级，包括利用薄膜沉积技术与微加工手段制作线径与线圈整体厚度都在微米以上量级的超薄线圈。

本实用新型的技术问题通过以下技术方案实现：

一种利用薄膜沉积技术制作的超薄线圈，包括绝缘基底，所述的绝缘基底表面沉积导电薄膜后逐层卷绕呈圆环状，该超薄线圈具有沿圆环状的轴向切割而成的矩形横截面，该矩形横截面由在内的绝缘基底和在外的导电薄膜交替分布构成，且绝缘基底和导电薄膜的截面也为矩形。

所述的绝缘基底采用聚酰亚胺柔性基底或氧化铝为代表的绝缘薄膜，该绝缘基底的矩形截面边长由膜厚h0和线圈厚度h2组成；所述的导电薄膜采用铜薄膜为代表的金属导电薄膜或其他可用于沉积的导电材料，该导电薄膜的矩形截面边长由膜厚h1和线圈厚度h2组成，导电薄膜为连接导线的导电层。

所述的导电薄膜膜厚h1大于1µm，超薄线圈的线圈厚度h2为1µm~1000µm。

所述的绝缘基底为聚酰亚胺柔性基底，其膜厚h0按照标称厚度选择7.5µm、13µm、20µm、25µm、40µm、50µm、75µm、100µm、125µm这九种。

所述的超薄线圈的上、下表面均镀覆一层薄绝缘层。

所述的薄膜沉积技术是指物理气相沉积或化学气相沉积。

与现有技术相比，本实用新型主要提供了一种利用薄膜沉积技术制作的厚度为微米量级的超薄线圈，它是在绝缘基底表面沉积导电薄膜后逐层卷绕呈圆环状，该超薄线圈具有沿圆环状的轴向切割而成的矩形横截面，该矩形横截面由在内的绝缘基底和在外的导电薄膜交替分布构成，且绝缘基底和导电薄膜的截面也为矩形，这种超薄线圈的矩形横截面与传统漆包线的圆形横截面截然不同，使用性能也更加卓越。

附图说明

图1为超薄线圈的结构示意图。

图2为图1中的超薄线圈沿圆环状的轴向切割而形成矩形横截面的结构示意图。

具体实施方式

下面将按上述附图对本实用新型实施例再作详细说明。

如图1、图2所示，1.绝缘基底、2.导电薄膜。