[实用新型]过温保护电路有效
| 申请号： | 201820067872.3 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN208422914U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 何云;王冬峰;周尧;刘桂芝 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8249;H03K17/082;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 过温保护电路 温度检测信号 温度控制信号 本实用新型 温度采样 控制信号产生单元 半导体器件 工艺复杂性 封装管壳 过温保护 控制模块 热量传导 比较器 电流源 恒流源 检测 单片 导通 关断 芯片 采集 | ||
1.一种过温保护电路，其特征在于，所述过温保护电路至少包括：
半导体器件、电流源、比较器及控制信号产生单元；
所述半导体器件包括形成于同一半导体衬底上的MOS场效应管及温度采样管；
所述电流源的一端连接电源电压、另一端经过所述温度采样管后接地，以提供恒流源；
所述比较器的输入端分别连接所述电流源的输出端及一参考电压，以产生温度检测信号；
所述控制信号产生单元接收所述比较器输出的温度检测信号，并基于所述温度检测信号产生温度控制信号；
所述MOS场效应管的漏端作为输出端、栅端连接所述温度控制信号、源端接地，受所述温度控制信号控制关断或导通，以实现过温保护。
2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于：所述电流源、所述比较器及所述控制信号产生单元作为控制模块设置于同一半导体衬底上。
3.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于：所述半导体器件与所述控制模块以合封方式集成在一个封装管壳中。
4.根据权利要求3所述的过温保护电路，其特征在于：所述半导体器件通过装片胶或共晶焊方式固定于第一封装框架基岛上，所述控制模块通过装片胶或共晶焊方式固定于第二封装框架基岛上，所述半导体器件与所述控制模块之间通过封装焊线实现电连接。
5.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于：所述温度采样管为二极管，所述二极管的阳极连接所述比较器、阴极接地。
6.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于：所述温度采样管为三极管，所述三极管的发射极连接所述比较器、集电极和基极接地。
7.根据权利要求1或5或6所述的过温保护电路，其特征在于：所述比较器的反相输入端连接所述电流源与所述温度采样管的连接节点、正相输入端连接所述参考电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
