[实用新型]基于交叉结构的新型太赫兹吸收器有效
| 申请号： | 201820078502.X | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN207752171U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 史叶欣 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸收器 二氧化硅层 十字型结构 波导阵列 波导组成 基底层 本实用新型 信号输出端 信号输入端 交叉结构 高吸收率 太赫兹波 入射角 波长 操控 入射 紧凑 输出 响应 灵活 吸收 制造 | ||
1.一种基于交叉结构的新型太赫兹吸收器，其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、由交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)、信号输入端(7)、信号输出端(8)，基底层(1)、二氧化硅层(2)、由交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)、自下而上顺序排列、基底层(1)为绝缘硅层，基底层(1)的上层为二氧化硅层(2)，二氧化硅层(2)的上层铺有由交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)、波导阵列层(3)由2行3列的交叉十字型结构波导(4)等间距排列组成，交叉十字型结构波导(4)由矩形波导(5)和矩形波导(6)中心重叠交叉构成，阵列层(3)上方设有信号输入端(7)，基底层(1)的下方设有信号输出端(8)，信号从信号输入端(7)以特定入射角度入射到由交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)，依次经过二氧化硅层(2)、基底层(1)和信号输出端(8)输出，实现具有高吸收率的新型太赫兹吸收器。
2.根据权利要求1所述的一种基于交叉结构的新型太赫兹吸收器，其特征在于所述的基底层(1)的材料为绝缘硅，长度为12.5～12.7μm，宽度为8.3～8.5μm，厚度为9～11μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于交叉结构的新型太赫兹吸收器，其特征在于所述的二氧化硅层(2)的长度为12.5～12.7μm，宽度为8.3～8.5μm，厚度为7～9μm。
4.根据权利要求1所述的一种基于交叉结构的新型太赫兹吸收器，其特征在于所述交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)的材料为高阻硅，总长度为11.0～11.8μm，宽度为7.0～7.4μm，厚度为4～6μm。
5.根据权利要求1所述的一种基于交叉结构的新型太赫兹吸收器，其特征在于所述构成交叉十字型结构波导(4)的矩形波导(5)，长度为1.0～1.6μm，宽度为2～4μm，厚度为4～6μm。
6.根据权利要求1所述的一种基于交叉结构的新型太赫兹吸收器，其特征在于所述构成交叉十字型结构波导(4)的矩形波导(6)，长度为1.0～1.6μm，宽度为2～4μm，厚度为4～6μm。
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