[实用新型]一种随钻可控源密度测井装置

权利要求书

1.一种随钻可控源密度测井装置，包括放射源和随钻密度探测系统，以及包括微处理器、信号放大整形及甄别电路、存储器、接口电路、总线驱动和总线的中心处理电路(13)，其特征是：所述放射源为随钻可控中子源独立仓，包括随钻可控源本体(2)、中子管抗压筒(3)及屏蔽体(5)，在中子管抗压筒(3)中安装中子源，中子管抗压筒(3)固定在随钻可控源本体(2)内，屏蔽体(5)设在随钻可控源本体(2)外壁上，中子管抗压筒(3)两端封闭，至少一端设有与电源及通讯线路相连的密封插针；所述随钻密度探测系统包括探测器本体(8)、近源距探测器(9)、热中子探测器(11)、远源距探测器(12)、中心处理电路(13)及超声波井径测量器(14)；所述探测器本体(8)的外表面纵向开有至少五各U形槽，U形槽之间通过连接孔(10)连接，近源距探测器(9)、热中子探测器(11)、远源距探测器(12)、中心处理电路(13)及超声波井径测量器(14)自上而下依次分别安装在U形槽内，近源距探测器(9)、热中子探测器(11)、远源距探测器(12)及超声波井径测量器(14)通过连接孔(10)与中心处理电路(13)建立电连接；所述中心处理电路(13)为中子发生器、近源距探测器(9)、超声波井径测量器(14)、热中子探测器(11)、远源距探测器(12)提供电源控制；所述随钻可控中子源独立仓与随钻密度探测系统通过随钻可控源本体(2)下端与探测器本体(8)上端建立连接。

2.根据权利要求1所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述近源距探测器(9)包括近源距电路骨架(15)、近源距屏蔽体(16)、近源距晶体及电倍增管(17)，近源距晶体及电倍增管(17)与近源距电路骨架(15)整体连接，并通过近源距电路骨架(15)安装在近源距屏蔽体(16)内腔，在晶体对应位置处的近源距屏蔽体(16)上开槽。

3.根据权利要求2所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述近源距屏蔽体(16)上的开槽处用低密度材料(18)填充，外部通过盖板(19)和密封圈封盖。

4.根据权利要求3所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述近源距探测器(9)装配完成后整体封胶；近源距屏蔽体(16)的上下两端设置弹性减震器。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述中子源包括氘-氚加速器中子源或氘-氘加速器中子源；所述近源距探测器(9)及远源距探测器(12)为溴化镧或碘化钠闪烁晶体探测器，热中子探测器(11)为3He中子计数管。

6.根据权利要求5所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述中子管抗压筒(3)由铍铜或钛合金制作，两端两端通过堵头和密封圈封闭，所述密封插针的密封体和堵头、密封圈均由聚四氟和镉的混合体制作，中子管抗压筒(3)通过悬挂螺栓(6)紧贴随钻可控源本体(2)的内壁。

7.根据权利要求6所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述热中子探测器(11)、远源距探测器(12)具有与近源距探测器(9)的相同结构。

8.根据权利要求7所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述探测器本体(8)外表面加工有扶正翼。

9.根据权利要求1-4任一所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述探测器本体(8)外表面加工有扶正翼。

10.根据权利要求5所述的一种随钻可控源密度测井装置，其特征是：所述探测器本体(8)外表面加工有扶正翼。