[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201820090382.5 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN207489906U | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陈功;夏章艮;黄禹杰;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 发光二极管 保护层 发光外延层 第一电极 电性连接 扩展部 本实用新型 导电通道 第二电极 发光层 焊盘部 上表面 开口 | ||
1.发光二极管，包括：
发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
保护层，形成于所述发光外延层之上，设有一系列开口作为导电通道；
第一电极，包括形成于所述保护层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；
第二电极，形成于所述保护层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；
其特征在于：所述第一电极具有焊盘部和扩展部，其中所述扩展部的上表面呈高、低起伏状。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层的厚度为λ/4n×(2k-1)，其中λ为所述发光层的发光波长，k为1以上的自然数，n为保护层的折射率。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的扩展部下方依次设有保护层、透明导电层和绝缘层。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的扩展部下方的绝缘层由一系列块状结构构成，所述块状结构之间彼此分离。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的扩展部上表面具有三个以上不同的高度。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的焊盘部的部分下表面直接与所述第一半导体层接触。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层在所述第一电极的焊盘部下方形成开口，其面积小于所述第一电极的焊盘部的面积。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的焊盘部的下表面同时与所述保护层和第一半导体层接触。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的焊盘部上表面呈台阶状。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的焊盘部上表面中间区域形成凹槽结构，该凹槽结构具有至少两级台阶。
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