[实用新型]一种高反射率的PVDF薄膜有效
| 申请号： | 201820090506.X | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN208478356U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王同心;许先华;薛群山;沈一春 | 申请（专利权）人： | 中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/049 | 分类号： | H01L31/049;B32B37/12;B32B37/10 |
| 代理公司： | 南京品智知识产权代理事务所(普通合伙) 32310 | 代理人： | 奚晓宁;杨陈庆 |
| 地址： | 226009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高反射率 使用寿命 太阳能光伏背板 本实用新型 光伏组件 真空蒸镀 镀铝层 反射率 水蒸汽 中间层 背板 铝层 内层 氧气 阻隔 | ||
【权利要求书】：
1.一种高反射率的PVDF薄膜，其特征在于：具有二层结构，基底层为PVDF薄膜层，与基底层直接相连的是镀铝层；
PVDF薄膜内层通过真空蒸镀的方式镀上一层镀铝层。
2.根据权利要求1所述的一种高反射率的PVDF薄膜，其特征在于：PVDF薄膜层的厚度为10-60微米。
3.根据权利要求1所述的一种高反射率的PVDF薄膜，其特征在于：镀铝层的厚度为30-60纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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