[实用新型]横向p-n-n微腔结构Ge发光器件有效
| 申请号： | 201820091056.6 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN207977343U | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 黄诗浩;郑启强;曹世阳;谢文明;李天建;汪涵聪;陈彩云;黄靖 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | H01L33/34 | 分类号： | H01L33/34;H01L33/10;H01L33/44;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 王晓彬 |
| 地址： | 350118 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光器件 分布式布拉格反射镜 本实用新型 微腔结构 高掺杂 衬底 源区 低电阻导电材料 空穴 发光器件表面 发光效率 发光性能 工艺制备 钝化层 上表面 势垒层 下表面 氧化硅 电极 高锗 源层 兼容 暴露 成熟 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种横向p-n-n微腔结构Ge发光器件，其特征在于，包括有源层n-Ge层，n-Ge层下表面为Si/SiO2结构，n-Ge层与Si/SiO2结构构成高掺杂n型GOI衬底，底部设有底部分布式布拉格反射镜，n-Ge层上表面两侧设有p-GeSi区、n-GeSi区，p-GeSi区、n-GeSi区中间为有源区，有源区底部暴露n-Ge层，有源区内设有顶部分布式布拉格反射镜，所述p-GeSi区、n-GeSi区上设有低电阻导电材料的电极；发光器件表面设有氧化硅的钝化层。
2.根据权利要求1所述的横向p-n-n微腔结构Ge发光器件，其特征在于，所述n-Ge层厚度为1um，Si/SiO2结构厚度为100.5um，底部分布式布拉格反射镜厚度为3.08um，顶部分布式布拉格反射镜厚度为1.54um。
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