[实用新型]一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构有效
| 申请号： | 201820101694.1 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN211480042U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;倪炜江;徐妙玲;张敬伟;牛喜平;李明山;窦娟娟;陈欣璐;吕枞;耿伟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 周边 rc snubber 结构 碳化硅 sbd 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述元胞结构的JTE区外围和划片道之间设置了多个深沟槽结构，所述深沟槽结构内依次填充高介电常数介质和多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属，并从所述多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属上用金属引出RC电极。
2.根据权利要求1所述的集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述深沟槽结构由ICP，RIE或激光烧孔工艺制作而成。
3.根据权利要求1所述的集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述高介电常数介质为SiO2、SiNx、Al2O3、AlN、HfO2、MgO、Sc2O3、Ga2O3、AlHFOx、HFSiON中的一种或任意几种。
4.根据权利要求1所述的集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述致密性孔洞填充特性好的金属为钨或钛。
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