[实用新型]用于CMP应用的薄的塑料抛光用具有效
申请号: | 201820105135.8 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN208945894U | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | R·D·托勒斯;G·E·孟克;E·戴维;Y·王;H·K·特兰;F·C·雷德克;V·R·R·卡基雷迪;E·米克海利琴科;J·古鲁萨米 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | B24B37/24 | 分类号: | B24B37/24;B24B37/22;B24B37/26;H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 金红莲;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光用具 聚合物片材 抛光表面 凸起表面 纹理 蚀刻 方法和设备 改进 塑料 宏观特征 基板移除 机器加工 内容提供 抛光基板 抛光期间 抛光系统 凸起特征 微观特征 研磨 压印 修整 应用 | ||
1.一种抛光用具,所述抛光用具包括聚合物片材,所述聚合物片材包括:
厚度,所述厚度限定在抛光表面与相对的底表面之间;
长度,所述长度在基本上平行于所述抛光表面的第一方向上延伸;
宽度,所述宽度在基本上平行于所述抛光表面且垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,其中所述宽度比所述长度小至少两倍;
固体聚合物材料,所述固体聚合物材料基本上无孔隙;
多个离散元件,所述多个离散元件形成在所述抛光表面上;以及
沟槽阵列,所述沟槽阵列形成在所述抛光表面中,其中所述沟槽阵列是相对于所述第一方向或所述第二方向而对准的。
2.如权利要求1所述的抛光用具,其中所述沟槽阵列中的每个所述沟槽从所述抛光表面延伸到在所述抛光表面下方的某个深度,并且所述厚度小于或等于0.48mm。
3.如权利要求1所述的抛光用具,其中所述离散元件具有:
小于40μm的特征跨距;以及
从2μm至7μm的算术平均高度(Sa)。
4.如权利要求3所述的抛光用具,其中所述相对的底表面包括具有从2微英寸(0.05微米)至200微英寸(5.08微米)的算术平均高度(Sa)的表面粗糙度。
5.如权利要求1所述的抛光用具,其进一步包括置于所述相对的底表面上的可剥离结合层,且所述可剥离结合层具有在所述可剥离结合层的与所述相对的底表面相对的一侧上的界面表面,其中所述界面表面具有大于1.51的静摩擦系数,并且其中所述静摩擦系数是通过将物体的具有200微英寸(5.08微米)的算术平均高度(Sa)的表面推靠在所述界面表面来测量的。
6.如权利要求1所述的抛光用具,其中所述沟槽阵列从所述抛光表面朝所述底表面延伸,并且所述沟槽在所述抛光表面中限定重复沟槽图案。
7.如权利要求1所述的抛光用具,其中所述沟槽阵列从所述抛光表面朝所述底表面延伸,并且所述沟槽包括各自相邻于所述抛光表面而定位且从所述抛光表面延伸的第一侧壁和第二侧壁,并且具有在平行于所述抛光表面的平面内延伸的长度,其中所述第一侧壁和所述第二侧壁是弯曲的。
8.如权利要求1所述的抛光用具,其中形成在所述抛光表面中的所述离散元件进一步包括:
20μm至40μm的特征跨距;以及
每一毫米30至35的平均峰值密度。
9.如权利要求8所述的抛光用具,其中形成在所述抛光表面中的所述离散元件进一步包括:
45%至65%的界面面积比率;
30μm至50μm的最大尖峰高度(Sp);以及
30μm至80μm的最大凹坑高度(Sv)。
10.一种抛光用具,所述抛光用具包括:
聚合物片材,所述聚合物片材具有衬垫主体,所述衬垫主体包括:
固体聚合物材料,所述固体聚合物材料基本上无孔隙;
厚度,所述厚度限定在抛光表面与相对的底表面之间,并且所述厚度小于0.46mm;以及
多个离散元件,所述多个离散元件形成在所述抛光表面中,其中形成在所述抛光表面中的所述离散元件具有:
小于40μm的特征跨距;以及
从2μm至7μm的算术平均高度(Sa)。
11.如权利要求10所述的抛光用具,其中所述相对的底表面包括具有从2微英寸(0.05微米)至200微英寸(5.08微米)的算术平均高度(Sa)的表面粗糙度。
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