[实用新型]一种超级电容模组超长时间保压电路有效

专利信息
申请号: 201820106735.6 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN207719866U 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 王大志;张泽忠 申请(专利权)人: 北京合众汇能科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京华识知识产权代理有限公司 11530 代理人: 李浩
地址: 100000 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 漏电 补偿模块 继电器 保压 超级电容模组 漏电检测模块 超级电容器模组 本实用新型 内置 电路 电池 充放电保护电路 节省电池电量 继电器控制 取样信号端 补偿过程 电池连接 输出连接 外部端口 外接端口 正极连接 短路 锂电池 断开 拉弧 灼烧 爆炸 安全
【权利要求书】:

1.一种超级电容模组超长时间保压电路,其特征在于:包括电池、漏电检测模块、漏电补偿模块、执行继电器,所述电池连接漏电补偿模块,漏电补偿模块的输出连接执行继电器,漏电补偿模块的取样信号端连接漏电检测模块,漏电检测模块连接超级电容器模组,超级电容器模组的正极连接执行继电器。

2.根据权利要求1所述的超级电容模组超长时间保压电路,其特征在于:所述漏电检测模块包括一个输入端,输入端连接稳压二极管ZD1的负极,稳压二级管ZD1的正极接地,输入端连接依次串联的电阻R1、R2、R3构成分压网络,电阻R3接地,电压比较器U1的+输入端连接在电阻R1和R2之间,电压比较器U1-输入端连接标准电压,电压比较器U1的输出端接驱动器U2,驱动器U2的输出连接P沟道MOS管Q1的G脚,以及N沟道MOS管Q2的G脚和P沟道MOS管Q3的G脚,P沟道MOS管Q1的S脚接输入端,P沟道MOS管Q1的D脚与N沟道MOS管Q2的D脚接输出端Vout,N沟道MOS管Q2的S脚接地,P沟道MOS管Q3的D脚连接电阻R2和电阻R3之间,P沟道MOS管Q3的S脚接地。

3.根据权利要求1所述的超级电容模组超长时间保压电路,其特征在于:所述漏电补偿模块包括与执行继电器一个端点连接的二极管D1的负极,二级管D1的正极连接电阻R7,电阻R7的另一端连接升压电源模块M1的输出端和电容C1的正极,电容C1的负极接地,升压电源模块的输入端连接继电器K1的输出端,继电器K1的输入端和继电器K1的一个控制端连接电池BAT1的正极,电池BAT1的负极接地,继电器K1的另一控制端连接电阻R5、R6和N沟道MOS管Q5的D脚,N沟道MOS管Q5的S脚接地,N沟道MOS管Q5的G脚连接电阻R6的另一端和N沟道MOS管Q4的D脚,N沟道MOS管Q4的S脚接地,N沟道MOS管Q4的G脚连接电阻R5的另一端和电阻R4的一端,电阻R4的另一端接漏电检测模块的输出端。

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