[实用新型]一种基于磁电阻的双稳态磁开关及系统

权利要求书

1.一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，包括磁电阻及处理电路，当外界磁场沿磁电阻敏感方向分量等于或高于临界磁场强度时，磁电阻处于高阻或低阻状态；当外界磁场移除时，磁电阻保持这一状态；直到外界磁场沿反向于磁电阻敏感方向分量等于或高于临界磁场强度时，磁电阻阻值状态反转为低阻或高阻状态。

2.根据权利要求1所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，所述磁电阻为各项异性磁电阻，巨磁电阻或隧道结磁电阻。

3.根据权利要求1所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，所述临界磁场强度为1~40000高斯。

4.根据权利要求1所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，单个或多个所述磁电阻串联或并联组成磁电阻桥臂。

5.根据权利要求4所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，所述磁开关包括一个或多个所述磁电阻桥臂。

6.根据权利要求4或5所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，多个磁电阻桥臂为半桥或全桥连接。

7.根据权利要求1所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，所述处理电路包括ASIC电路，ASIC电路与磁电阻位于不同晶片，晶片之间通过引线连接。

8.根据权利要求1所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，所述处理电路包括ASIC电路，ASIC电路与磁电阻上下层叠于同一晶片上并通过接触电极直接接触连接。

9.一种基于磁电阻的双稳态磁开关系统，其特征在于，包括单个或多个如权利要求1-8中任一项所述的基于磁电阻的双稳态磁开关，所述双稳态磁开关单个排布；或，多个所述双稳态磁开关串联呈线性排布；或，多个所述双稳态磁开关串联呈环状排布。

10.根据权利要求9所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关系统，其特征在于，多个所述双稳态磁开关串联呈单条线性排布，多条线性平行排布或多条线性正交网格排布。

11.根据权利要求9所述的一种基于磁电阻的双稳态磁开关系统，其特征在于，多个所述双稳态磁开关串联呈单条环形排布，多条环形同心共面排布或多条环形共轴三维空间排布。