[实用新型]一种用于阵列探头的背衬材料有效

专利信息
申请号: 201820114361.2 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN207896122U 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 陈小梅 申请(专利权)人: 长沙芬贝电子科技有限公司
主分类号: H01L41/053 分类号: H01L41/053;H01L41/22;B06B1/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410200 湖南省长沙市望城经*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 背衬体 阵列探头 横向凹槽 纵向凹槽 集合体 连接体 背衬 本实用新型 第二导电层 第一导电层 背衬材料 阵元 矩阵 连接为一体 电极引线 交错布置 外侧表面 成品率 底端 分隔 填充 焊接 连通 覆盖
【说明书】:

实用新型公开了一种用于阵列探头的背衬材料,包括背衬体、第一导电层、第二导电层和连接体;第一导电层包裹背衬体的外侧表面,若干个背衬体以矩阵的方式排列,相邻的两个背衬体之间具有间隙,连接体填充在间隙内将若干个背衬体连接为一体,并形成背衬集合体;第二导电层覆盖在背衬集合体的外侧;背衬集合体的顶底端两端分别具有纵向凹槽和横向凹槽,纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与连接体连通,纵向凹槽和横向凹槽交错布置并分隔出若干个阵元单元。本实用新型的优点和有益效果在于:克服了现有的电极引线困难,且无需焊接,可操作性强,提高了阵列探头的一致性和成品率;同时可制成不同频率和不同阵元间距的阵列探头,扩大了适用范围。

技术领域

本实用新型涉及超声波设备领域,特别涉及一种用于阵列探头的背衬材料。

背景技术

现有的阵列探头多采用焊接或粘接的方法与电极引线连接;而焊接的方法不适用于频率较高的阵列探头,比如15MHz阵列探头,其压电晶片厚度只有 0.1mm,在焊接过程中,压电晶片很容易去极化,产生失效;同时,焊接的方法不适于阵元间距小于0.3mm的阵列探头,比如长宽各为0.3mm的阵元,但较小的焊点直径都接近0.3mm,如果有如些大的焊点在压电晶片表面,其性能将急剧下降;

采用粘接FPC的方式虽然解决了焊接的问题,但对于高频探头来说,前端 FPC的厚度要小于四分之一波长,比如15MHz阵列探头,超声波通过FPC,其四分之一波长约为0.05mm,而现有最薄的FPC厚度约为0.1mm,FPC的厚度也将影响阵列探头的性能。

实用新型内容

为了解决上述问题,本实用新型提供一种用于阵列探头的背衬材料,本技术方案通过将用于阵列探头的背衬材料的底端与电极引线连接,将若干个压电晶片分别安装在背衬集合体顶端的各个阵元单元上,并在背衬集合体顶端以面阵方式排列,并用于安装在阵列探头上;电极引线将通过第一导电层和第二导电层向各压电晶片输出电压;同时,背衬集合体顶端的若干个阵元单元通过纵向凹槽和横向凹槽相互隔离,背衬集合体底端的若干个阵元单元通过纵向凹槽和横向凹槽相互隔离;

因此,本技术方案克服了现有的电极引线困难,且无需焊接,可操作性强,适合批量化生产,还可提高阵列探头的一致性和成品率;同时,通过改变阵元单元的尺寸,以及纵向凹槽和横向凹槽的尺寸,可制成不同频率和不同阵元间距的阵列探头,极大的扩大了适用范围。

本实用新型中的一种用于阵列探头的背衬材料,包括背衬体、第一导电层、第二导电层和连接体;所述第一导电层包裹所述背衬体的外侧表面,若干个所述背衬体以矩阵的方式排列,相邻的两个所述背衬体之间具有间隙,所述连接体填充在所述间隙内将若干个所述背衬体连接为一体,并形成背衬集合体;所述第二导电层覆盖在所述背衬集合体的外侧;

所述背衬集合体的顶底端两端分别具有纵向凹槽和横向凹槽,所述纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与所述连接体连通,所述纵向凹槽和横向凹槽交错布置在所述背衬集合体的顶底两端,并在所述背衬集合体的顶底两端分别分隔出若干个阵元单元。

上述方案中,所述背衬集合体顶端的若干个阵元单元的尺寸与压电晶片的尺寸相互匹配。

上述方案中,所述背衬体为背衬块,所述第一导电层包裹所述背衬块的外侧表面,所述第二导电层包裹背衬集合体的外侧表面,所述第一导电层连接所述背衬集合体顶底两端上的第二导电层。

上述方案中,背衬体为背衬棒,所述第一导电层包裹在所述背衬棒的外侧表面,所述背衬块包裹所述背衬棒的外侧表面,若干个所述背衬块以矩阵的方式排列,并通过连接体连接为一体形成背衬集合体;所述第二导电层分别覆盖在所述背衬集合体顶底两端的外侧表面。

上述方案中,所述第一导电层连接所述背衬结合体顶底两端上的第二导电层。

上述方案中,所述第一导电层为银、金、铜或镍金属层,所述第一导电层的厚度为0.5-3um;所述第二导电层为银、金、铜或镍金属层,所述第二导电层的厚度为0.5-3um。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙芬贝电子科技有限公司,未经长沙芬贝电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820114361.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top