[实用新型]一种半导体制冷式微波功率放大器

权利要求书

1.一种半导体制冷式微波功率放大器，包括安装板(1)，其特征在于：所述安装板(1)顶部的四个角处均开设有安装孔(2)，所述安装板(1)的顶部固定安装有防护壳体(3)，所述防护壳体(3)的内部设置有功率放大器本体(4)，所述功率放大器本体(4)的两侧穿插设置有连接插孔(5)，所述功率放大器本体(4)的顶部和底部均固定安装有两个第一安装座(6)，所述第一安装座(6)上固定安装有第一连接柱(7)，所述防护壳体(3)的内顶壁和内底壁上均固定安装有与第一安装座(6)相对应的第二安装座(8)，所述第二安装座(8)上固定安装有与第一连接柱(7)相对应第二连接柱(9)，所述第二连接柱(9)远离第二安装座(8)的一端开设有连接槽(10)，所述第一连接柱(7)远离第一安装座(6)的一端并且位于连接槽(10)的内部固定安装有限位块(11)，所述限位块(11)远离第一连接柱(7)的一侧并且位于连接槽(10)的内部设置有第一缓冲弹簧(12)，所述第一连接柱(7)与第二连接柱(9)的外侧并且位于第一安装座(6)与第二安装座(8)之间套设有第二缓冲弹簧(13)，所述防护壳体(3)的两侧均穿插设置有与连接插孔(5)相对应的密封管(14)，所述密封管(14)的内部设置有与连接插孔(5)相对应的连接插头(15)，所述密封管(14)的内壁上由内向外依次固定安装有第一密封环(16)和第二密封环(17)，所述连接插头(15)的外侧由内向外依次开设有与第一密封环(16)和第二密封环(17)相对应的第一密封槽(18)和第二密封槽(19)，两个所述连接插头(15)上并且位于两个密封管(14)相背的一端均固定安装有内螺纹密封盖(20)，所述连接插头(15)上并且位于内螺纹密封盖(20)的内部固定安装有密封垫(21)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式微波功率放大器，其特征在于：两个所述连接插头(15)相对的一端均贯穿密封管(14)并延伸至连接插孔(5)的内部，两个所述连接插头(15)相背的一端均贯穿并延伸至内螺纹密封盖(20)的外侧。

3.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式微波功率放大器，其特征在于：所述连接插头(15)通过第一密封环(16)和第一密封槽(18)与密封管(14)卡接，所述连接插头(15)通过第二密封环(17)和第二密封槽(19)与密封管(14)卡接。

4.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式微波功率放大器，其特征在于：所述第一连接柱(7)远离第一安装座(6)的一端贯穿并延伸至连接槽(10)的内部，所述密封垫(21)的直径大于密封盖的内径，两个所述密封管(14)相背一端的外侧均开设有与内螺纹密封盖(20)相对应的拧紧螺纹。

5.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式微波功率放大器，其特征在于：所述第一缓冲弹簧(12)的一端与连接槽(10)固定连接，所述第一缓冲弹簧(12)的另一端与限位块(11)固定连接。

6.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式微波功率放大器，其特征在于：所述第二缓冲弹簧(13)的一端与第一安装座(6)固定连接，所述第二缓冲弹簧(13)的另一端与第二安装座(8)固定连接。