[实用新型]一种高密度等离子体机台射频带连接结构

说明书

本实用新型提供了一种高密度等离子体机台射频带连接结构，包括至少一个的射频带，所述射频带两端设置圆弧形连接端，在所述圆弧形连接端上设置有连接孔，在所述射频带非圆弧形连接端的部分设置绝缘层；电源供应端，连接所述射频带一端；顶部射频源连接端，连接所述射频带。本实用新型的高密度等离子体机台射频带将裸露的射频带设置绝缘层做绝缘处理，加装防火、抗电弧、耐高温的绝缘层，防止因射频带和其它金属部件接触而触发电弧，引发火灾及人员伤害。将射频带分设置在圆弧形顶端的多个方向，减少射频带之间的电弧影响和金属部件的堆缠。使其不会有漏电的风险，并能稳定固定连接。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体设备，尤其涉及一种高密度等离子体机台射频带连接结构。

背景技术

美国泛林半导体设备公司(Lam)的高密度等离子体(High Density Plasma)机台工艺是在腔体内的高温环境下,通过对特定的工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积形成薄膜。它的特点是成膜速度快，薄膜均匀度好，填洞能力强。现有的高密度等离子体机台射频带为裸露的铜片与圆弧型顶端连接。安装时，铜片很容易和其它金属部分接触，当射频工作时，就会触发电弧，有引发火灾及人员伤害的风险。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的缺陷，提供一种能有效减少射频带电弧的高密度等离子体机台射频带连接结构。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：

一种高密度等离子体机台射频带连接结构，包括至少一个的

射频带，所述射频带两端设置圆弧形连接端，在所述圆弧形连接端上设置有连接孔，在所述射频带非圆弧形连接端的部分设置绝缘层；

电源供应端，连接所述射频带一端；

顶部射频源连接端，连接所述射频带。

为了进一步优化上述技术方案，本实用新型所采取的技术措施为：

优选的，所述射频带为条状射频带。

更优选的，所述绝缘层为橡胶材质。

更优选的，所述绝缘层为绝缘橡胶材质。

更优选的，所述电源供应端设置电源供应端螺纹杆。

更优选的，所述电源供应端螺纹杆穿过所述连接孔再螺帽旋紧，将所述电源供应端和射频带连接。

更优选的，所述顶部射频源连接端设置顶部射频源连接端螺纹杆。

更优选的，所述顶部射频源连接端螺纹杆穿过所述连接孔再螺帽旋紧，将所述顶部射频源连接端和射频带连接。

更优选的，所述射频带、电源供应端和顶部射频源连接端设置为三个。

本实用新型采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：

本实用新型的高密度等离子体机台射频带将裸露的射频带设置绝缘层做绝缘处理，加装防火、抗电弧、耐高温的绝缘层，防止因射频带和其它金属部件接触而触发电弧，引发火灾及人员伤害。将射频带分设置在圆弧形顶端的多个方向，减少射频带之间的电弧影响和金属部件的堆缠，减少漏电和触电的可能。并在顶部射频源连接端和电源供应端设置螺纹杆连接射频带，使其不会有漏电的风险，并能稳定固定连接。

附图说明

图1为本实用新型的一种优选实施例的高密度等离子体机台射频带连接结构的结构示意图；

图2为本实用新型的一种优选实施例的射频带的结构示意图；

其中的附图标记为：