[实用新型]放电MOS管的驱动电路及放电加工装置有效
申请号: | 201820122753.3 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN207743950U | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 杨健;肖伟华;付胜宏 | 申请(专利权)人: | 上海东熠数控科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 胡美强;张冉 |
地址: | 200231 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放电MOS管 驱动电路 电阻 放电加工装置 光耦 本实用新型 二极管 直流电源 关断 尖峰电压幅度 功率驱动 驱动信号 驱动 低电平 负电源 有效地 导通 隔离 供电 | ||
本实用新型提供一种放电MOS管的驱动电路及放电加工装置,其中放电MOS管的驱动电路用于驱动放电加工装置的放电MOS管,驱动电路包括光耦、MOS驱动器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管、第一直流电源和第二直流电源。本实用新型通过光耦将低电平的驱动信号与功率驱动部分进行隔离,然后通过MOS驱动器来驱动放电MOS管,通过第三电阻和二极管能快速地导通放电MOS管,通过采用负电源为光耦和MOS驱动器供电,能快速地关断放电MOS管以及有效地降低放电MOS管关断时产生的尖峰电压幅度。
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,特别涉及一种放电MOS管的驱动电路,可用于驱动放电加工装置中的放电MOS管及放电加工装置。
背景技术
在放电加工装置中,一般采用MOS管作为放电管,一方面由于MOS管自身寄生电容的影响,驱动电路无法让放电管快速导通;另一方面,由于电路寄生电感以及放电电流非常大(放电电流峰值达200A),放电管关断时产生高电压的尖峰电压信号,容易造成放电管被尖峰击穿。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中由于MOS管自身寄生电容的影响,驱动电路无法让放电管快速导通,以及放电管容易被尖峰击穿的缺陷,提供一种放电MOS管的驱动电路及放电加工装置。
本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
本实用新型提供一种放电MOS管的驱动电路,所述放电MOS管的驱动电路用于驱动放电加工装置的放电MOS管,其特点是,所述驱动电路包括光耦、MOS驱动器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管、第一直流电源和第二直流电源;
所述第一直流电源为正电源,所述第二直流电源为负电源,所述第一直流电源和所述第二直流电源共电源地,所述MOS驱动器由所述第一直流电源和所述第二直流电源供电,所述光耦的电源输入端与所述电源地连接、电源参考端与所述第二直流电源连接;
所述光耦的信号输入端接收驱动信号,所述光耦的输出端与所述MOS驱动器的输入端连接,所述光耦的输出端还通过所述第一电阻与所述光耦的电源输入端连接,所述MOS驱动器的输出端通过所述第二电阻分别与所述第三电阻的一端、所述第一二极管的阳极连接,所述第三电阻的另一端、所述第一二极管的阴极均与所述放电MOS管的栅极连接,所述放电MOS管的源极与所述电源地连接。
较佳地,所述驱动电路还包括第四电阻,所述第四电阻并联于所述放电MOS管的栅极与源极之间。
较佳地,所述第一直流电源的电压为15V,所述第二直流电源的电压为-5V。
较佳地,所述光耦的带宽为10M。
较佳地,所述驱动信号为差分信号,所述差分信号的正极信号输入到所述光耦的发光二极管的阳极,所述差分信号的负极信号输入到所述光耦的发光二极管的阴极。
较佳地,所述驱动电路还包括线驱动器,所述驱动信号为单端信号,所述线驱动器用于将所述单端信号转换为差分输出,所述线驱动器的差分输出的正端与所述光耦的发光二极管的阳极连接,所述线驱动器的差分输出的负端与所述光耦的发光二极管的阴极连接。
较佳地,所述驱动电路还包括第一稳压二极管和第二稳压二极管,所述第一稳压二极管的阴极与所述线驱动器的差分输出的正端连接,所述第二稳压二极管的阴极与所述线驱动器的差分输出的负端连接,所述第一稳压二极管的阳极、所述第二稳压二极管的阳极均连接到所述电源地。
较佳地,所述驱动电路还包括第五电阻、电容器和第二二极管,所述第五电阻的一端与所述第二二极管的阳极连接后与所述放电MOS管的漏极连接,所述第五电阻的另一端与所述第二二极管的阴极连接后与所述电容器的一端连接,所述电容器的另一端与所述放电MOS管的源极连接。
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