[实用新型]一种沟槽肖特基二极管的结构有效
| 申请号： | 201820125545.9 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN207753018U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 周祥瑞;殷允超 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 本实用新型 沟槽结构 势垒区 分段式分布 点状分布 电流能力 沟槽区域 沟槽周边 正向压降 点状式 分段式 势垒 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽肖特基二极管的结构，其特征在于：它包括沟槽和势垒区，沟槽为分段式沟槽结构或点状式沟槽结构，势垒区位于各分段式分布或点状分布的沟槽周边。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管的结构，其特征在于：分段式沟槽结构的纵向沟槽间距需要小于或者等于横向沟槽间距；纵向沟槽长度需大于横向沟槽宽度；横向沟槽宽度的范围为0.4-2um之间，横向沟槽间距的范围为1-3um之间。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管的结构，其特征在于：点状式沟槽结构的相应沟槽间距都是相同的, 沟槽形状为圆形或正方形；沟槽宽度范围为0.4-2um之间,沟槽间距范围为1-3um之间。
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